【摘 要】
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以B4C为烧结助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。研究了烧结温度与碳化硅烧结体密度、三点抗弯强度、维氏硬度之间的关系,并对不同温度下制备的碳化硅陶瓷进行了显微结构形貌观察。
【基金项目】
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浙江省工程技术研究中心建设计划(2013E10033);中国科协企会创新计划资助项目
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以B4C为烧结助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。研究了烧结温度与碳化硅烧结体密度、三点抗弯强度、维氏硬度之间的关系,并对不同温度下制备的碳化硅陶瓷进行了显微结构形貌观察。结果表明:当烧结温度在2 100℃附近时,碳化硅陶瓷的密度达到3.16 g/cm~3,相对密度超过98%,微观形貌观察均匀致密,三点抗弯强度达到500 MPa,维氏硬度为2 750,具有较好的力学性能。
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