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对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结，回顾了不同的湿法刻蚀技术，包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发，深入地分析了湿法刻蚀的特性，对比了不同刻蚀方法的原理和效果。考虑到p—GaN的表面氧化层比较厚，接触电阻较大，能带向下弯曲不能进行光增强湿法刻蚀，重点阐述了p—GaN的传统湿法刻蚀和n—GaN的紫外光增强湿法刻蚀技术。与传统化学刻蚀相比，光增强湿法刻蚀具有更为广阔的前景。结合GaN基半导体器件的制作，对湿法刻蚀的主要应用进行了较为详细的归纳。目前，湿法刻蚀