【摘 要】
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本工作首先分析了非穿通超β晶体管性能与器件结构的关系,导出其制作的关键是低浓度宽基区的实现,其次通过硼分布工艺控制规律的研究说明获得低浓度宽基区的基本工艺途径,最
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本工作首先分析了非穿通超β晶体管性能与器件结构的关系,导出其制作的关键是低浓度宽基区的实现,其次通过硼分布工艺控制规律的研究说明获得低浓度宽基区的基本工艺途径,最后提出了一项制作集成型非穿通超β器体的新工艺技术并给出了研制的结果。
In this work, the relationship between the performance of non-punch-through ultra-β transistors and the structure of the device is analyzed. The key point of the fabrication is to realize the low concentration and wide base. Secondly, the research on the control law of boron distribution process shows that the basic technology Finally, we put forward a new process technology for making integrated non-through super-β body and give the result of development.
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