【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了NiZn铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜性能的影响。采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构，原予力显微镜分析了薄膜的表面形貌，振动样品磁强计
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都电子机械高等专科学校集成电路制造工程研究所
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采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上制备了NiZn铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜性能的影响。采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构，原予力显微镜分析了薄膜的表面形貌，振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能，结果表明，随着退火温度的升高，薄膜的结晶状态越好，晶粒尺寸越大，饱和磁感应强度越高，面内矫顽力越小。
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