【摘 要】
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分析了Ga N(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻
【机 构】
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海军驻合肥地区军事代表室,合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,安徽华东光电技术研究所
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分析了Ga N(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容C out与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用C out控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用Ga N HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 d Bm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带Ga N功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。
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