【摘 要】
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当MOS电容漏电流大时,往往使得准静态I-V曲线变形(上翘),从而给界面态陷阶密度N_(it)的测量和计算带来了很大的妨碍.本文提出了一种简单方法,可以将准静态I-V曲线进行修正,使
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当MOS电容漏电流大时,往往使得准静态I-V曲线变形(上翘),从而给界面态陷阶密度N_(it)的测量和计算带来了很大的妨碍.本文提出了一种简单方法,可以将准静态I-V曲线进行修正,使得漏电较严重的MOS电容的界面态密度N_(it)计算得出满意的结果.
When the leakage current of the MOS capacitor is large, the Quasi-static IV curve is often deformed (warped), which greatly hinders the measurement and calculation of the density N_ (it) of the interface trap. A simple method , The quasi-static IV curve can be corrected so that the interface state density N_ (it) of the MOS capacitor with more serious leakage current can be calculated satisfactorily.
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