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利用转移矩阵法研究了二维四方光子晶体中缺陷对透射光谱的影响.结果表明缺陷对TE波的影响比对TM波的影响明显,缺陷层填充比对禁带宽度影响很大,TE波禁带在填充比r/a=0.33时最宽,第一禁带的最低频率随着填充比的增加向低频移动.
缺陷对二维四方光子晶体透射光谱的影响
【摘 要】
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利用转移矩阵法研究了二维四方光子晶体中缺陷对透射光谱的影响.结果表明缺陷对TE波的影响比对TM波的影响明显,缺陷层填充比对禁带宽度影响很大,TE波禁带在填充比r/a=0.33时
【出 处】
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光谱实验室
【发表日期】
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2004年期
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