【摘 要】
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用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分
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用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2nm逐渐增大到14.5nm。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在=30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgF2薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。
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