【摘 要】
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文中描述了增强型/耗尽型电路工艺。用离子注入实现了调节阈值电压以形成增强型/耗尽型器件。此法可使性能和电路密度最佳化。计算和实际观测的用一个+5伏电源的速度—功耗乘
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文中描述了增强型/耗尽型电路工艺。用离子注入实现了调节阈值电压以形成增强型/耗尽型器件。此法可使性能和电路密度最佳化。计算和实际观测的用一个+5伏电源的速度—功耗乘积是10pJ/pF。用离子注入的场屏蔽完全消除了高电阻率p-型衬底上场区的反型。
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