【摘 要】
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针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学
【机 构】
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上海理工大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(11204334,61475178)
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针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下,观察到了薄膜的弱局域效应(weak localization, WL),且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应,得到相位相干长度的值,解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性,从而为
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