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在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜．Raman测试结果表明，SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低，采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的应力释放现象进行了解释．
SOI衬底对3C-SiC异质外延薄膜内残存应力的影响
【摘 要】
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在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜．Raman测试结果表明，SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低，采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年9期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目（批准号：2002AA311220）
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