【摘 要】
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对介孔SiO2及硫酸根促进的SiO2样品进行了原位吡啶吸附红外光谱测试,分别建立了硫酸根促进前后的SiO2表面原子簇模型,用密度泛函理论对其吡啶吸附行为进行了计算,分析了SO2^-
【机 构】
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上海交通大学化学工程系,浙江医药股份有限公司新昌制药厂
【基金项目】
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国家自然科学基金（20476055）,教育部高等学校博士学科点专项科研基金（20060248064）,新世纪优秀人才支持计划（2004）.
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对介孔SiO2及硫酸根促进的SiO2样品进行了原位吡啶吸附红外光谱测试,分别建立了硫酸根促进前后的SiO2表面原子簇模型,用密度泛函理论对其吡啶吸附行为进行了计算,分析了SO2^-4/SiO2表面酸性产生的机理. 实验和计算结果表明, SO2^-4/SiO2表面不存在Lewis酸中心,原位红外谱图中表征Lewis酸性的特征峰对应于氢键吸附吡啶的环振动,这种氢键作用因SiO2表面的硫酸根促进而得到加强. HSO-4螯合结构为SO2^-4/SiO2表面Br（φ）nsted酸中心,其酸强度强于表面磺酸基团修饰的
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