【摘 要】
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用水平布里奇曼法（HB法）研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量（包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10^-5,Si的质量分数
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用水平布里奇曼法（HB法）研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量（包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10^-5,Si的质量分数要≤1.00×10^-6）,又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火。研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布。
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