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为解决大功率高频串联谐振逆变器中多管并联碳化硅（Sic）金属一氧化物半导体场效应晶体管（M0sFET）驱动电路存在的串扰问题，分析了驱动电路串扰问题产生的机理和常用驱动串扰抑制方法，优化了驱动电路结构和器件参数，设计了一种具有串扰抑制作用的多管并联SiCMOSFET驱动电路。搭建了一台SiCMOSFET高频H桥串联谐振逆变电源样机，对驱动电路进行了相关测试，验证了所设计的驱动电路可有效抑制串扰。