论文部分内容阅读
采用离子注入法及退火工艺，在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品．通过退火实验研究，发现随着退火温度的升高，纳米晶的晶态峰峰位红移，这意味着Ge纳米晶受到的应力减小．当退火温度达到700℃时，纳米晶的晶态峰强度显著增强，而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱．采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂，X射线荧光光谱数据表明，样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质．薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构，中子辐照之后其发光仍然存在，而且，掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的缺陷发光．