论文部分内容阅读
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内，形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛定谔方程时就必须求解二维泊松方程。
GaN HFET的大信号射频工作模型（续）
【摘 要】
：
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内
【机 构】
：
南京电子器件研究所
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
2014年6期
其他文献
实践性教学不仅提高学生的创新能力，而且使教学的形式和内容更加丰富、具体和生动。本文结合高职院校广告设计专业的实际出发，研讨如何走教学与实践相结合的道路，为社会培养更多
介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1 GS／s多奈奎斯特域数模转换器（DAC）。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具
本文通过对当前广泛使用的经济时间序列预测方法的分析比较，针对如股票价格这一类易受到大量外部因素影响且难以通过多变量建模分析的经济现象，采用了单变量ＡＲＩＭＡ模型并结合Ｏｕｔｌｉｅｒ分析的方
对可持续竞争优势的外生性分析是基于企业同质性假设,把企业看成黑箱.以资源基础论为主流的内生性分析基于企业异质性假设,突破了企业黑箱,但由于提出了过分宽泛的资源概念,
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、
FinFET作为22nm以下节点最有发展潜力的器件结构,受到广泛关注。不同于传统研究多定性探讨FinFET尺寸变化对其性能的关系,文中定量分析了亚10nm尺度下鳍形状对器件性能参数的
本文运用博弈论的方法,在激励理论的研究中引入对监控机制的分析,从而拓展了激励机制的理论框架.分析结果表明:监控机制与激励机制具有相关性,二者之间具有一定的相互替代作
半导体激光器是以半导体材料为增益介质的激光器,依靠半导体能带间的跃迁发光,通常以天然解理面为谐振腔。因此其具有 波长覆盖面广、体积小、结构稳定、抗辐射能力强、泵浦
本文首先实证调查和研究了我国银行等金融机构面临的高度信息不对称及由此产生的贷款风险;接着从理论和实务的角度研究了不对称信息下的利益冲突,以及银行为保护自己的利益,