【摘 要】
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在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见构形的势垒 ,即梯形势垒 ,计入了镜像势的梯
【机 构】
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中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心 北京100080,北京100080
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在Slonczewski自由电子模型的基础上 ,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法 ,并以三种常见构形的势垒 ,即梯形势垒 ,计入了镜像势的梯形势垒和抛物线势垒为例 ,讨论了势垒形状对隧穿磁电阻及其随偏压变化的影响 .
Based on the Slonczewski free electron model, a simple method that can be used to deal with the transport of magnetic electrons in a magnetic tunnel junction with an arbitrary shape barrier is proposed. The barrier of three common configurations, ie, the trapezoidal barrier Taking the trapezoidal barrier and the parabolic barrier with mirror potential as an example, the influence of the barrier shape on the tunneling magnetic resistance and its variation with bias voltage is discussed.
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