离子注入硅快速退火合成Y硅化物的特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong489

【摘要】

：

用金属蒸发真空弧离子源注入机将Ｙ离子注入硅，制备出特性良好的硅化物。用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构。用束流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２的Ｙ注入硅可形成三层结构的硅化

【作者】

：

张通和吴瑜光张通和

【机构】

：

中国教育部射线束技术和材料改性重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2000年6期

【关键词】

：

硅离子注入快速退火硅化物 Y implantation in silicon low angle emergence channeling MEVVAi

【基金项目】

：

Project Supported by National Natural Science Foundation of China ( Grant No.59671 0 51 ) and by National HighTechnology Resea

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用金属蒸发真空弧离子源注入机将Ｙ离子注入硅，制备出特性良好的硅化物。用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构。用束流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２的Ｙ注入硅可形成三层结构的硅化钇。硅化钇层的厚度大约为６０－８０ｎｍ，其缺陷密度Ｎｄ和薄层电阻Ｒ０随束流密度的增加而下降。快速退火后，Ｎｄ和Ｒｓ都明显下降，Ｒｄ从５４Φ

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