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用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好，量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份其本不变，研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发光谱中的低能峰与量子点表面缺陷态有关，量子点尺寸越小，比表面积越大，该峰相对强度越大。
玻璃中CdSeS量子点的结构和光学性质
【摘 要】
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用两步退火法在掺CdSeS的玻璃中制备了高密度的量子点，均匀性较好，量子点尺寸随第二步退火时间加长而增大，但组份其本不变，研究了量子点光学性质与退火时间的依赖关系，证明光致发
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京师范大学物理系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :2 9890 2 17和 698760 3 7)
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