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[期刊论文] 作者：傅祥良,
来源：红外 年份：2005
在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件...
[学位论文] 作者：傅祥良,
来源：中国科学院上海技术物理研究所 年份：2008
大规模红外焦平面器件的制备需要低成本、高质量、大面积且均匀性良好的Hg1-xCdxTe材料。使川替代型衬底的HgCdTe分子束外延技术能很好的满足大面积和低成本要求，并已成为制备...
[会议论文] 作者：王大志, 傅祥良,,
来源： 年份：2004
回顾了绿色纺织品的发展历程,并预测了其未来的发展趋势。扼要的介绍了绿色纤维、绿色纺织品的研究现状和研究热点,提出了其开发绿色纺织品的新思路。...
[会议论文] 作者：沈川,陈路,傅祥良,王伟强,何力,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临...
[期刊论文] 作者：沈川,陈路,傅祥良,王伟强,卜顺栋,何力,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究．理论计算了nBn结构中各层的参数的变化（包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分）对器件性能的影响规律．通过优化上......
[期刊论文] 作者：沈川,顾仁杰,傅祥良,王伟强,郭余英,陈路,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理...
[会议论文] 作者：王大志,周剑芸,刘金华,张庶元,孟祥东,傅祥良,
来源：第十一届中国固态离子学学术会议暨固体电化学能源装置国际研讨会 年份：2002
采用水热法制备了无球形结构的纳米Ni(OH),并运用XRD,Raman Spectrum,IR和TEM对产物的微结构进行了分析.实验结果表明,反应初期形成Ni(OH)晶须,随反应时间的延长,这些晶须进...
[会议论文] 作者：王大志,周剑芸,刘金华,张庶元,孟祥东,傅祥良,
来源：第十一届中国固态离子学学术会议暨固体电化学能源装置国际研讨会 年份：2002
采用水热法制备了无球形结构的纳米Ni(OH),并运用XRD,Raman Spectrum,IR和TEM对产物的微结构进行了分析.实验结果表明,反应初期形成Ni(OH)晶须,随反应时间的延长,这些晶须进行了自组装,首先晶须组装为丝网状、束状、片状和丝状的结构,144h以后晶化为结构完善的......
[期刊论文] 作者：赵真典, 陈路, 傅祥良, 王伟强, 沈川, 张彬, 卜顺栋,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：巫艳, 吴俊, 魏青竹, 陈路, 于梅芳, 王元樟, 傅祥良,,
来源：激光与红外 年份：2006
...
[期刊论文] 作者：陈路,傅祥良,巫艳,吴俊,王伟强,魏青竹,王元樟,何力,
来源：第二届全国先进焦平面技术研讨会 年份：2006
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了...
[期刊论文] 作者：魏青竹,吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,王伟强,傅祥良,何力,,
来源：激光与红外 年份：2007
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现，晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移...
[会议论文] 作者：王伟强,傅祥良,沈川,王莹,张彬,王高,杨凤,陈路,何力,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
本文描述了实验室分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe的最新研究结果.借助RHEED原位监测工具,对比分析了不同装片工艺条件下(装片工艺过程是否在保护气体氛围中进行)CdZnTe衬底脱氧...
[期刊论文] 作者：魏青竹,吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,傅祥良,乔怡敏,王伟强,何,
来源：人工晶体学报 年份：2007
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统，对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量，并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度...
[期刊论文] 作者：赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川,张彬,卜顺栋,王高,杨凤,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
采用As掺杂和激活技术制备的p＋-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相...
[期刊论文] 作者：赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川,张彬,卜顺栋,王高,杨凤,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件（截止波长为9~10μm）的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对...
[期刊论文] 作者：傅祥良,王伟强,于梅芳,乔怡敏,魏青竹,吴俊,陈路,巫艳,何,
来源：激光与红外 年份：2007
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。...
[期刊论文] 作者：巫艳,吴俊,魏青竹,陈路,于梅芳,王元樟,傅祥良,乔怡敏,何,
来源：激光与红外 年份：2006
对于MBE原位掺杂，HgCdTe的N型掺杂比较容易，而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为，在富Te的条件下生长，As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必......
[期刊论文] 作者：巫艳,吴俊,魏青竹,陈路,于梅芳,王元樟,傅祥良,乔怡敏,何力,
来源：第二届全国先进焦平面技术研讨会 年份：2006
对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处。而A...
[期刊论文] 作者：魏青竹,吴俊,巫艳,陈路,于梅芳,傅祥良,乔怡敏,王伟强,何力,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓...
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