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[学位论文] 作者：冯美鑫,
来源：中国科学院大学 年份：2014
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[期刊论文] 作者：孔静,冯美鑫,蔡金,王辉,王怀兵,杨辉,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
High-quality gallium nitride(GaN) film was grown on nano-patterned sapphire substrates(NPSS) and investigated using XRD and SEM.It was found that the optimum th...
[期刊论文] 作者：孙钱,严威,冯美鑫,李增成,封波,赵汉民,杨辉,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The dream of epitaxially integrating III-nitride semiconductors on large diameter silicon is being fulfilled through the joint R&D efforts of academia and indus...
[期刊论文] 作者：封波,邓彪,刘乐功,李增成,冯美鑫,赵汉民,孙钱,,
来源：物理学报 年份：2017
硅衬底GaN基发光二极管（LED）的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化，严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理...
[会议论文] 作者：冯美鑫,张书明,江德生,刘宗顺,朱建军,赵德刚,王辉,杨辉,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
采用转换矩阵的处理方法，计算出了光场在GaN基激光器腔面和薄膜介质中的分布，提出了不改变光功率输出时，降低前后腔面光功率、提高GaN基激光器光学灾变损伤阈值的镀膜设计方法，并......
[会议论文] 作者：何俊蕾,冯美鑫,周宇,戴淑君,钟耀宗,高宏伟,孙钱,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：李增成,刘建平,曾畅,冯美鑫,周坤,张书明,王辉,王怀兵,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石衬底上生长的GaN 表面生长了发光波段在绿光范围的氮化镓铟(InGaN)量子点(QDs)。研究了生长条件对盖层结构质量的影响,...
[会议论文] 作者：冯美鑫,何俊蕾,周宇,钟耀宗,高宏伟,孙钱,刘建平,张书明,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体，发光波长涵盖可见光波段，具有发光效率高、化学稳定性好等优点.......
[会议论文] 作者：钟耀宗,周宇,高宏伟,戴淑君,冯美鑫,何俊蕾,孙钱,张继军,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。...
[会议论文] 作者：温鹏雁,杨辉,李德尧,张书明,冯美鑫,刘建平,张立群,周坤,田爱琴,张峰,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文研究了GaN基蓝光激光器的退化失效机制.通过对激光器老化前后光电特性测试分析,发现GaN基蓝光激光器老化过程中光输出功率随时间增加下降、阈值增加,激射前自发辐射复合...
[期刊论文] 作者：冯美鑫,张书明,江徳生,刘建平,王辉,曾畅,李增成,王怀兵,王峰,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Using the finite-element method,the thermal resistances of GaN laser diode devices in a TO 56 package for both epi-up configuration and epi-down configuration a...
[会议论文] 作者：冯美鑫,王怀兵,杨辉,张书明,刘建平,李德尧,张立群,李增成,周坤,王峰,王辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们在c面GaN衬底上实现了无铝蓝光激光器的脉冲激射,得到了近似圆形的光斑,激光器激射光斑纵横比为1.6,激光器激射波长440nm,阈值电流为720mA,斜率效率0.9W/A....
[会议论文] 作者：刘建平,张书明,杨辉,张立群,李德尧,李增成,冯美鑫,温鹏雁,周坤,田爱琴,张峰,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
氮化镓(GaN)基激光器将半导体激光器拓展到紫、蓝、绿波段,作为新型可见光波段激光光源正带动大色域的激光显示、高亮度激光照明、高分辨激光制版印刷、高密度激光存储等领域的技术革新,是国际上的研究热点.我们对GaN激光器的材料生长、结构设计和器件物理进行......
[会议论文] 作者：曾畅,王峰,王怀兵,王辉,杨辉,冯美鑫,张书明,刘建平,李德尧,张立群,江德生,李增成,周坤,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm；并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和激光器的特性,如图1所示为不同电流下超辐射二极管和激光器的光谱,图2为超辐射二极管和激光器的输出光强和半高宽随注入电流的变化......
[会议论文] 作者：田爱琴,张书明,李德尧,张立群,杨辉,刘建平,池田昌夫,李增成,冯美鑫,周坤,温鹏雁,张峰,胡威威,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文利用变温霍尔测试研究了MOCVD生长GaN∶Mg样品的电学特性,并对空穴浓度随温度的变化进行了理论拟合,研究结果表明生长的GaN∶Mg样品的施主受主补偿比很低,接近0％,认为低补...
[会议论文] 作者：Meixin Feng,冯美鑫,张书明,Shuming Zhang,Chang Zeng,曾畅,Jianping Liu,刘建平,Deyao Li,李德尧,Liqun Zhang,张立群,Zengcheng,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导层和p-AlGaN电子阻挡层的相对位置,有效地增大了激光器的量子阱限制因子,减小了激光器的吸......
[会议论文] 作者：曾畅[1]王峰[2]王怀兵[2]王辉[2]杨辉[2]冯美鑫[1]张书明[2]刘建平[2]李德尧[2]张立群[2]江德生[3]李增成[1]周坤[1],
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm；并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和激光器的特性,如图1所示为不同电流下超...
[会议论文] 作者：MeixinFeng[1]冯美鑫[2]张书明[2]ShumingZhang[1]ChangZeng[1]曾畅[2]JianpingLiu[1]刘建平[2]DeyaoLi[1]李德尧[2]LiqunZhang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
传统的GaN基蓝光激光器上波导层在p-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN光学限制层之间,导致激光器中的应力较大,腔面出现分层现象,激光器的阈值电流密度较高。本文提出改变上波导...
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