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[期刊论文] 作者：余庆选,励翠云,
来源：半导体学报 年份：1997
本文通过ＭＯＣＶＤ ＧａＩｎＰ的生长速率，组分Ｉｎ的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对ＧａＩｎＰ生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温ＧａＩｎＰ缓冲层对高温ＧａＩｎＰ外延生长的影响，根据ＧａＩｎＰ的组分随生长温度的变化关系，生......
[期刊论文] 作者：余庆选,励翠云,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
用ＭＯＣＶＤ方法生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料，并对Ｓｉ的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温（〉７００℃）生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料的组分，从而使得ＧａＩｎＰ掺Ｓｉ的电子浓度达８×１０＾１８ｃｍ＾－３。在此基础上，进行......
[期刊论文] 作者：励翠云,彭瑞伍,
来源：稀有金属 年份：1994
用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第......
[期刊论文] 作者：励翠云,韦光宇,余庆选,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1993
本文利用金属—半导体接触的基本理论,发展了一种炉前简易判别化合物半导体外延层导电类型和载流子浓度范围的方法,其准确率为:GaAs和GaInP达100％,GaInAsSb可达90％左右。...
[期刊论文] 作者：余庆选,彭瑞伍,励翠云,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学、Ｚｎ的掺杂效率、Ｉｎ的组分、表面形貌、电学性质的影响研究．In this paper, the growth and properties of......
[期刊论文] 作者：余庆选,励翠云,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1997
本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaI...
[期刊论文] 作者：余庆选,彭瑞伍,励翠云,任尧成,,
来源：Rare Metals 年份：1993
The ternary semiconductor Ga0.5In0.5Pmay be used in optoelectronics andmicrowave devices to overcome the problemssuch as the formations of...
[期刊论文] 作者：励翠云,彭瑞伍,王洁,徐晨梅,
来源：稀有金属 年份：1994
用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备......
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,王博弘,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1986
The incorporation and the behavior of impurity Cd in the VPE of GaAs are studied by usingelemental Cd as a dopant in Ga-AsCl_3-H_2 system.The distribation coef...
[期刊论文] 作者：励翠云,彭瑞伍,韦光宇,徐晨梅,
来源：稀有金属 年份：1994
应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料表面形貌。The Ga_ (1-x) Al_xAs / GaAs......
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,王博弘,
来源：电子科学学刊 年份：1985
一、引言 在CaAs气相外延中,除了用各种掺杂剂制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延层的制备。鉴于P型材料可用作双漂移二极管和太阳能电池,本文在GaAsCl_3-H_2体系中采用元素Cd为掺杂剂,研究了Cd的掺杂行为并制得了各种结构的p-n材料。 二、实验 实验装置与......
[期刊论文] 作者：徐晨梅, 彭瑞伍, 韦光宇, 吴伟, 励翠云,
来源：RARE METALS 年份：1994
ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆＬＰＥＧａＩｎＡｓＳｂＥｐｉｌａｙｅｒｓａｎｄＩｔｓＰｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓｆｏｒＤｅｔｅｃｔｉｏｎｏｆ１．８～２．１μｍＸｕＣｈｅｎｍｅｉ；ＰｅｎｇＲｕｉｗｕ；ＷｅｉＧｕａｎｇｙｕ；ＷｕＷｅｉａｎｄＬｉＣｕｉｙｕｎ（徐晨梅）.........
[期刊论文] 作者：彭瑞伍,徐晨梅,励翠云,张霞芳,赵喆,
来源：电子科学学刊 年份：1990
在Ga-AsCl_3-H_2系统中用金属Zn为掺杂剂,研究了气相外延GaAs时Zn的掺入和行为。GaAs中Zn的分配系数和空穴浓度分别为10和大于10~(20)cm~(-3),它们都比掺Cd的GaAs大2—3个数...
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