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[期刊论文] 作者：卞剑涛,陈朝,,
来源：半导体光电 年份：2006
设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器，并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应。0．5pmCMOS工艺条件数值模拟结果显示，在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应......
[期刊论文] 作者：卞剑涛,陈朝,
来源：中国集成电路 年份：2004
本文介绍了用于DVD/VCD光学读取头的光电探测集成电路(PDIC)的结构和工作原理,分析并比较了硅基PDIC的关键技术和工艺,回顾总结了近年来的研究进展与成果,展望了今后的研究发...
[期刊论文] 作者：卞剑涛,程翔,陈朝,,
来源：光子学报 年份：2007
从光电探测器的基本方程出发，采用Laplace变换方法，分析了一种与CMOS标准工艺兼容的N-well／P-sub结构光电探测器的频率响应特性，780nm和650nm波长下的截止频率分别为14．4MHz和43MH...
[期刊论文] 作者：张睿,卞剑涛,冯勇建,
来源：传感器技术 年份：2004
介绍了一种实用的平板电容式MEM SRF 射频开关.研究了外加驱动电压与由此所引起的极板间距和极板受力变化之间的非线性关系,提出了一种有效的基于有限元的设计分析方法,在此...
[期刊论文] 作者：祝方舟,卞剑涛,刘正新,
来源：太阳能学报 年份：2019
离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消除的缺点.该文通过对硼注入发射极退火特性进...
[会议论文] 作者：刘正新,祝方舟,卞剑涛,
来源：第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：祝方舟,卞剑涛,刘正新,
来源：第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2016
介绍了试验流程晶格损伤表征J0e,VASE,Raman硼硅团簇模拟高温退火对衬底材料的影响总结，优点:简化工艺流程,降低成本.可实现更精确的掺杂控制,便于制作复杂结构的新型高效电池....
[会议论文] 作者：祝方舟,王栋梁,卞剑涛,刘正新,
来源：第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2013
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[期刊论文] 作者：程未,曾晓鹭,卞剑涛,冯勇建,
来源：传感器技术 年份：2003
给出了一种基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器的结构及工艺。为了准确地把握这种微电容式加速度传感器的力学和电学特性,仔细地建立了它的力学模型。在此基础上,详细分...
[期刊论文] 作者：俞健, 卞剑涛, 刘毓成, 刘正新,,
来源：太阳能学报 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：颜黄苹,冯勇建,陈曦,卞剑涛,
来源：仪表技术与传感器 年份：2003
采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备氧敏感膜,并对其不同的药品配比进行成膜质量与响应时间的测试与比较.设计一系列实验对该传感器的氧敏感机理进行研究.结合MEMS技术,设计MOSFET...
[期刊论文] 作者：卞剑涛,程未,冯勇建,颜黄苹,
来源：微电子学 年份：2003
通过对接触式电容压力传感器的改进,提出了一种基于MEMS技术的微变电容模型.为确定外加驱动电压与由此所引起的电容变化之间的非线性关系,提出了一种有效的基于有限元的方法,...
[期刊论文] 作者：颜黄苹,冯勇建,许金海,卞剑涛,
来源：传感器技术 年份：2001
阐述了一种MOS场效应管 (MOSFET)压力微传感器的结构和基本工作原理。通过对该传感器的仿真实验 ,证明了MOSFET压力微传感器可通过简单的电压———电流转换原理 ,利用栅极电容的变化导致漏极电流与开启电压的变化而有效地测出作用于栅极膜片的压力的变化 ,具有......
[期刊论文] 作者：陈伟,程翔,卞剑涛,陈朝,芦晶,,
来源：半导体光电 年份：2009
设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺...
[期刊论文] 作者：卞剑涛,颜黄苹,冯勇建,王亚强,
来源：仪表技术与传感器 年份：2002
通过对接触式电容传感器结构原理的分析,运用ANSYS对传感器膜片在外加压力作用下的接触和大变形等非线性问题进行分析,并基于有限元法编写相应的程序,直接得出输出电容与外加...
[期刊论文] 作者：刘美玲,俞健,卞剑涛,张丽平,孟凡英,刘正新,,
来源：太阳能学报 年份：2016
研究金属与非晶硅薄膜（a-Si：H）的接触特性，用于晶体硅异质结太阳电池新型电极技术开发。采用等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）技术制备超薄（～10nm）a-Si：H薄膜，利用真空镀膜技术制作金......
[会议论文] 作者：卞剑涛,薛忠营,陈达,刘林杰,姜海涛,狄增峰,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层...
[会议论文] 作者：俞健,陈涛,卞剑涛,张丽平,孟凡英,刘正新,黄跃龙,
来源：2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2018
异质结太阳电池量产的金属化方案（丝印、CF、MBB、叠瓦、Plating）各有优势,双面PERC电池和双面异质结电池浆料的用量对成本有重要影响,考虑到异质结组件发电增益和高双面率的优势，在系统侧具有更好的IRR,异质结MBB和叠瓦组件有望成为高效、低成本的突破口。......
[会议论文] 作者：刘正新,张丽平,孟凡英,石建华,刘金宁,卞剑涛,刘毓成,祝方舟,俞健,邓浩,张俊凯,邓良平,刘培东,
来源：2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2015
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[会议论文] 作者：刘正新,孟凡英,祝方舟,卞剑涛,刘金宁,张丽平,石建华,俞健,刘毓成,邓浩,张俊凯,刘培东,邓良平,
来源：2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2015
OUTLINE1、研究背景 2、硅片质量对SHJ电池性能的影响N型硅片质量对电池性能的影响热处理对电池性能的影响P型硅片的比对3、总结1.研究背景SHJ太阳电池 1、转换效率高→Eff=25.1 ％2、温度系数低→发电量高......
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