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[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：1975
据日本电气公司（NEC）报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9～10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20％。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续......
[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：1976
据报导日本电气通信研究所采用一种密闭的AsCl3-Ga-H2汽相外延系统,重复地生长出了高纯度的砷化镓外延层。低温（77°K）迁移率在1.8×105～2.1×105厘米2/伏·秒...
[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：1975
掺砷氧化物方法常常用于硅中的高浓度砷扩散。从掺砷氧化膜向硅中扩散砷,通常是在氧气氛中进行扩散的。本文叙述在扩散过程中气流由氮气变为氧气以代替过去始终使用纯氧气氛...
[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：2004
由美国无线电公司研制的RCA2023—12型微波晶体管,在2.0～2.3千兆赫频段内,最小输出功率为12.5瓦,增益为7分贝,集电极效率为40％。这种晶体管是封装在具有内部输入端匹配网络以...
[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：2004
美国加利佛里亚州多伦斯功率合成公司(Power Hybrids,Torrance,Calif,)为空间战术测距装置研制了一种新型的微波大功率晶体管PH1175D,这种晶体管在1025～1150兆赫频段内产生15...
[期刊论文] 作者：川舸,,
来源：半导体情报 年份：1975
据报导,美国贝尔系统研制成功一种供L_5同轴载波系统用的超线性晶体管。典型的技术指标是:最高振荡频率为3千兆赫、噪声系数为2.4分贝、三次谐波失真系数为-88分贝、功耗为1...
[期刊论文] 作者：Tetsuo Asano,川舸,,
来源：半导体情报 年份：2004
众所周知,磨角及化学染色是显示硅的扩散p—n结的一种有效方法。对砷化镓来说,这种方法可用来显示由扩散或外延生长制成的p—n结。但是至今还不足以显示厚度低于1微米的薄外...
[期刊论文] 作者：赵惠珍,川舸,
来源：微电子学 年份：1987
影响干法腐蚀效果的因素很多,本文仅就为获得良好腐蚀结果,对几个关键工艺条件的优选原则作以介绍。在反应离子腐蚀技术中,气体组份的选择是最关键的一步。There are many...
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