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[期刊论文] 作者：张丽珠,朱悟新,
来源：半导体学报 年份：1992
以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大...
[期刊论文] 作者：朱悟新,王富咸,
来源：稀有金属：英文版 年份：1992
p -type CZ silicon crystals annealed at 450℃ have been investigated by low temperature infraredspectroscopy with high resolusion. It has been shown that the 2p...
[期刊论文] 作者：屠海令,朱悟新,
来源：半导体学报 年份：1999
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用。本文简述了该方法的测量原理，给出了直径１２５ｍｍ硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据，讨论了了生产工艺对硅......
[会议论文] 作者：朱悟新,王富成,
来源：中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：朱悟新,张厥宗,孙燕,
来源：稀有金属 年份：1986
对p型硅衬底上的MOS结构用DLTS法测量了界面态密度的能量分布和俘获截面与能量的关系。 (100)方向P型硅衬底浓度约为2×10~(15)cm~(-3),氧化层厚度在110～160nm(1100～1600A)之间...
[期刊论文] 作者：朱悟新,奚建平,张厥宗,
来源：稀有金属 年份：1983
对两种衬底材料的 n~+/p/p~+结构的硅太阳电池进行了深能级瞬态谱(DLTS)测量。在二次直拉料衬底的电池中观察到一个空穴陷阱和两个电子陷阱;在半导体级衬底的电池中观察到三...
[期刊论文] 作者：王富咸,朱悟新,尹庆民,江德生,
来源：稀有金属 年份：2004
报道了掺 As_2O_3 和掺 Ca_2O_3+Cr 水平法生长的 CaAs 单晶中氧有关缺陷的红外吸收谱,揭示了氧缺陷吸收蜂的出现和样品电阻率的依赖关系,并对氧缺陷中心(O_i-V_(As))的负 U...
[期刊论文] 作者：刘鸿飞,秦福,朱悟新,尤重远,陈开茅,
来源：半导体学报 年份：1996
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几......
[期刊论文] 作者：王敬,屠海令,刘安生,周旗钢,朱悟新,张椿,
来源：稀有金属 年份：1998
用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。The......
[期刊论文] 作者：王敬,屠海令,刘安生,张椿,周旗钢,朱悟新,
来源：稀有金属 年份：1998
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等The direct bonding process, bonding mechanism, bonding quality evaluatio...
[会议论文] 作者：王敬,屠海令,朱悟新,周旗钢,刘安生,张椿,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文用共焦喇曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面在ＮＨ〈，４〉ＯＨ／Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉／Ｈ〈，２〉Ｏ（ＳＣ－１）溶液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入ＳＣ－１溶液的过程中，其表面逐浙被两种氧化物所覆盖，一种是由于ＮＨ〈，４〉ＯＨ作用形成的氧化物，另一......
[期刊论文] 作者：王敬,屠海令,朱悟新,周旗钢,刘安生,张椿,
来源：光散射学报 年份：1999
本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明：在硅片浸入氢氟酸溶液的初期，表面主要被硅和三个氢原子的结合体（ＳｉＨ３）以及硅和两个氢原子的结......
[期刊论文] 作者：屠海令,朱悟新,王敬,周旗钢,张椿,孙燕,
来源：半导体学报 年份：1999
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生...
[会议论文] 作者：王敬,屠海令,朱悟新,周旗钢,刘安生,张椿,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文用共焦喇曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面在ＮＨ〈，４〉ＯＨ／Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉／Ｈ〈，２〉Ｏ（ＳＣ－１）溶液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入ＳＣ－１溶液的过程中，其表面逐浙被两种氧化物所覆盖，一种是由于ＮＨ〈，４〉ＯＨ作用形成的氧化物，另一种是在ＮＨ〈，４〉ＯＨ和Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉共同作用下形成的、并与氢相关的氧化物。除此之外，硅片表面有少量......
[期刊论文] 作者：张丽珠,毛晋昌,张伯蕊,段家忯,秦国刚,朱悟新,
来源：半导体学报 年份：1992
以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大...
[期刊论文] 作者：王敬,屠海令,刘安生,张椿,周旗钢,朱悟新,高曰文,李建明,
来源：中国有色金属学报 年份：1998
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在６５０℃保温时，缺陷的密度逐渐降......
[期刊论文] 作者：钱思敏,王炳林,王培德,刘安东,黄耀先,张传汉,朱悟新,张厥,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1984
电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些...
[期刊论文] 作者：钱思敏,王炳林,王培德,刘安东,黄耀先,张传汉,朱悟新,张厥宗,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1984
电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位...
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