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[期刊论文] 作者：郭瑾,李积和,,
来源：上海有色金属 年份：2007
回顾了2005~2006年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标,并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅...
[期刊论文] 作者：夏玉山,李积和,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
用透射电镜等手段观察了硅片北面原始软损伤及它在工艺过程中的变化。分析了软损伤杂的作用机构：当热氧化时软损伤诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错硅片表面电......
[期刊论文] 作者：郭瑾,李积和,
来源：无机硅化合物（天津） 年份：2008
回顾了近几年国内外多晶硅生产现状及2010年前全球多晶硅生产商扩产计划和达产目标，并概括了目前多晶硅生产新工艺。提出全球在2008年以后太阳能级多晶硅产能与太阳能硅电池的...
[会议论文] 作者：闵靖,李积和,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：沈天慧,李积和,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
我们对多晶硅吸杂和ＳｉＯ２背封二种工艺进行了系统的和深入的实用性研究，解决了ＶＬＳＩ用外延惩衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约１００ｍｍ（４英寸）硅片１５０－３００片，ＳｉＯ２每炉生长１００片，由于硅......
[会议论文] 作者：沈天慧,李积和,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[会议论文] 作者：陈一,宗祥福,李积和,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构：当热氧化时软损诱生热氧化层错，当外延生长时软损伤诱生半环形位错，硅片表面......
[期刊论文] 作者：汪师俊,何莲萍,李积和,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文研究了ＳｉＨ４－Ｏ２体系ＬＰＣＶＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性＜±５％的结果。......
[期刊论文] 作者：汪师俊,何莲萍,李积和,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。In this pape......
[期刊论文] 作者：李积和,周子美,陈青松,闵靖,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1993
研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简...
[期刊论文] 作者：夏玉山,陈一,宗祥福,李积和,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
用透射电镜等手段观察了硅片背面原始软损伤及它在工艺热过程中的变化。分析了软损伤吸杂的作用机构 :当热氧化时软损伤诱生热氧化层错 ,当外延生长时软损伤诱生半环形位错 ,...
[期刊论文] 作者：李积和, 周子美, 陈青松, 闵靖,
来源：上海金属.有色分册 年份：1993
研究了背面多晶和改进的背面损伤两种外吸除工艺,及其在消除P型硅片雾缺陷中的应用。用TEM、SEM和热氧化等方法分析了背面多晶层和背面损伤层的微观结构和吸除效果。简单叙述了SIMS和MOS c-t少子产生寿命的测试结果以及吸除机理。本文是第一部分,主要内容是背面......
[期刊论文] 作者：闵靖,邹子英,陈一,姚保纲,李积和,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错......
[会议论文] 作者：闵靖,邹子英,陈一,李积和,姚保纲,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：闵靖,邹子英,姚保纲,李积和,陈一,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：沈天慧,李积和,何莲萍,陈青松,汪师俊,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～30......
[期刊论文] 作者：葛涛,彭瑞伍,李积和,袁诗鑫,严世权,
来源：上海金属 年份：1996
叙述上海半导体材料在科研、生产方面取得的重大进展，着重介绍单晶硅、多晶硅，以及Ⅲ－Ⅴ族，Ⅱ－Ⅵ族为代表的化合物半导体材料近年来在科研和产业化方面取得的丰硕成果．Describe t......
[期刊论文] 作者：闵靖,邹子英,李积和,周子美,陈青松,陈一,
来源：稀有金属 年份：2001
用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少...
[期刊论文] 作者：闵靖,邹子英,李积和,陈青松,周子美,陈一,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用.多晶...
[期刊论文] 作者：闵靖,陈一,宗祥福,李积和,姚保纲,陈青松,周志美,
来源：半导体杂志 年份：1995
研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法......
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