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[期刊论文] 作者：杜开瑛,
来源：半导体学报 年份：1988
本文报道的实验中,使用了波长比源材料气体吸收边短得多的真空紫外光(VUV)作光源,使气体源材料能有效地被分解,通过气体源和光源适当组合,使用非干涉光的直接分解,成功地获得...
[期刊论文] 作者：杜开瑛,
来源：实验技术与管理 年份：1987
1984—1986年间,我在京都大学工学部的一个研究室工作进修,除听课之外,几乎全部工作时间都是在实验室度过的,因而,常常有意无意地对其实验室的管理方法进行一些观察对比,觉得有不少的地方值得我们研讨借鉴。现在就有关仪器购置、使用和管理方面的一些情况介绍给......
[期刊论文] 作者：饶海波,杜开瑛,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1993
从PECVD法制取的n+与n/n+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N2气氛下,经6—10h的600℃（或800℃）温度...
[期刊论文] 作者：杜开瑛,莫敏,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1994
当脉冲辐射ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ＾２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜......
[期刊论文] 作者：陈义,杜开瑛,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1993
利用具有强氧化作用的硝酸和硫酸混合液,对常温、常压下的非晶硅氧化过程进行了初步研究,获得了预期的结果。1 实验方法以C-Si（单晶硅）为衬底的a-Si片作为实验样片。实验...
[会议论文] 作者：江汉保,杜开瑛,
来源：全国第二届微波化学会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：杜开瑛,饶海波,
来源：物理学报 年份：1994
通过低温退火工艺以实现ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的局部ｎ型轻掺杂，控制了固相晶化过程中的成核中心密度，获得了较大晶粒的良质多晶硅膜。有关测试结果表明：晶化过程是较均衡地沿（１１１），（２２０），（３１１）晶向进行，而按（１１１）晶向择优取......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：半导体情报 年份：1998
对真空紫上光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后物高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０＾１１ｃｍ＾－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：微电子学 年份：1998
采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤ ＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：半导体光电 年份：1998
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃......
[期刊论文] 作者：石瑞英,杜开瑛,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1999
以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱......
[期刊论文] 作者：刘玉荣,杜开瑛,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1996
通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1999
根据光吸收定律和边界层理论，得到了直接法ＣＶＤＳｉＯ２膜沉积速率方和Ｒｓｉｏ２＝∑／ｉ，ｊ，ｋＫｉＤｉ／Ｎｓｉｏ２√ｐＵ０／μＬＩ０λ「１－ｅ－（ｐｐｃｒ／ｐＴｘ）」主程与实验结果基本相符。......
[期刊论文] 作者：杜开瑛,周心明,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1993
新发展的光CVD(化学汽相淀积)材料,由于具有无辐射损伤,能进行低温、大面积生长,衬底材料选择自由度大,可淀积生长单层的和多层的各种绝缘膜、半导体膜、金属膜,以及能...
[期刊论文] 作者：杜开瑛,董会宁,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1995
采用快速退火工艺，促使非晶硅膜固相晶化，获得具备器件质量的微晶硅膜，以此晶化膜作基本材料，采取侧向光伏效应的工作模式，以金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构成功地研制出了一维微晶硅膜的光......
[期刊论文] 作者：董会宁,杜开瑛,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1995
我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通常固相晶化退火法相比可大大缩短退火时间，因此具有较大的......
[期刊论文] 作者：杜开瑛,席先才,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1982
本文主要讨论了冠醚络合钠离子的机理,提出偶极子模型,对冠醚的有效络合范围作了初步的分析和估算。按新的改进方案对两种MOS结构进行了实验.实验结果表明:钠离子面密度可降...
[会议论文] 作者：江汉保[1],杜开瑛[2],
来源：全国第二届微波化学会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,文芳,
来源：半导体情报 年份：1998
对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等......
[期刊论文] 作者：刘玉荣,杜开瑛,李观启,
来源：半导体学报 年份：2002
采用以低压氙（Xe)气激发真空紫外光作光源，以SiH4和O2作反应气体的直接光CVD技术淀积SiO2薄膜。通过椭圆偏振法、红外光谱法、C－V特性对不同衬底温度下淀积的SiO2薄膜的特性进行...
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