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[学位论文] 作者：杨沛锋,,
来源：电子科技大学 年份：2002
移动通信、GPS、雷达及高速数据处理系统等的高速发展对半导体器件的性能，如截止频率、功耗和成本等提出了更高的要求。相对于Si器件和化合物半导体器件，Si／SiGe异质结器件能以......
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李开成,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
介绍了用ＭＢＥ法生成ＳｉＧｅ／Ｓｉ新材料的无氧外延表面等关键技术。并据此外延生长出本征和掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ 测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分和电学参数理论设计目标。利用该材料试制成功了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ－ＰＭＯＳ器......
[期刊论文] 作者：杨沛锋,何林,等,
来源：半导体学报 年份：2001
通过理论分析与计算机模拟，给出以提高跨导为目标的Si/SiGe PMOSFET优化设计方法，包括栅材料的选择、沟道层中Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及Si盖帽层厚度的优化和阈值...
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李开成,刘道广,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术，并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分（x=0.15）和电学参数符合理......
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李开成,何林,刘道广,张静,李竞春,谢孟贤,杨谟华,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂...
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李竞春,于奇,陈勇,谢孟贤,杨谟华,何林,李开成,谭,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李开成,何林,刘道广,张静,李竞春,谢孟贤,杨谟华,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂...
[会议论文] 作者：于奇,王向展,陈勇,刘玉奎,肖兵,杨沛锋,方朋,杨谟华,谭超元,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
基于MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统，实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有......
[期刊论文] 作者：杨谟华,于奇,王向展,陈勇,刘玉奎,肖兵,杨沛锋,方朋,孔学东,谭超元,钟征宇,
来源：半导体学报 年份：2000
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取...
[会议论文] 作者：于奇[1]王向展[1]陈勇[1]刘玉奎[1]肖兵[1]杨沛锋[1]方朋[1]杨谟华[1]谭超元[2],
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
基于MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模......
[期刊论文] 作者：杨沛锋,李竞春,于奇,陈勇,谢孟贤,杨谟华,何林,李开成,谭开洲,刘道广,张静,易强,凡则锐,
来源：半导体学报 年份：2004
通过理论分析与计算机模拟 ,给出了以提高跨导为目标的 Si/ Si Ge PMOSFET优化设计方法 ,包括栅材料的选择、沟道层中 Ge组分及其分布曲线的确定、栅氧化层及 Si盖帽层厚度的...
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