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[期刊论文] 作者：胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1973
一、引言近几年来,硅双极晶体管有很大发展,在 L、S 波段达到了实用阶段,并正向 C 和X 波段进展。这些进展的取得,主要是工艺上的改进。如光刻能刻出1微米左右的条宽,用...
[期刊论文] 作者：胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1979
本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜二氧化硅(>2微米)是简易可行的。同时,介绍...
[期刊论文] 作者：胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1973
在硅上汽相沉积的二元砷硅酸盐玻璃薄膜的热处理特性和表面结构对其温度和组分的函数做了系统的研究。起初在 Ar 中用800℃热处理在薄膜中产生的热应力跟硅衬底的膨胀系数失...
[期刊论文] 作者：胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文叙述了 npn 等平面结构的微波晶体管的制造过程和性能。制造过程包括用高压水汽选择氧化实现等平面结构、亚微米光刻、杂质分布的恰当控制等。并对一些有关问题作了讨论...
[期刊论文] 作者：胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：2004
当砷扩散入硅中时,仅有一部分砷保留电活性。因为砷作为发射极掺杂剂是重要的,所以了解不活泼的砷的性质和它如何影响 As~+离子的溶解度和扩散是很必要的。提出了一个模型,在...
[期刊论文] 作者：Y.K.Fang,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1980
本文报导了一种分析接触形状和接触面积等非本征参量对金属-半导体系统中接触电阻影响的一种新方法。这种方法包括早期用于矩形和圆形接触中由传输线模型所确立的接触理论。...
[期刊论文] 作者：K.Rljndl,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：2004
采用液态的砷硅玻璃膜作掺杂源进行高浓度、结深小于1微米的砷向硅中的扩散。报导了源浓度、源厚度和扩散气氛对扩散结果的影响。在1000℃下得到的电活性砷表面浓度为1.7×10...
[期刊论文] 作者：M.Andrasl,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1981
本文对不同的光刻胶厚度和腐蚀液温度下所得到的腐蚀剖面作了实验研究。In this paper, the experimental results of the etching profiles obtained at different photor...
[期刊论文] 作者：H.Kitagawa,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1977
在高压水蒸汽中硅的氧化是很有意义的,因为高压氧化能缩短在各种集成电路中氧化物隔离的氧化时间。有关高压氧化的一些报导记述了硅在非常高的压力下(从25到500个大气压)的...
[期刊论文] 作者：K.D.Beyer,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1977
以前,采用改变掺砷玻璃中含砷浓度的办法研究了掺砷氧化物作源的砷在硅和二氧化硅中的扩散特性。Ghezzo 和 Brown 发现,在氩气中扩散之后,自掺砷氧化物源扩散的薄层电阻随着...
[期刊论文] 作者：Y.Watanabe,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1976
研究了多孔硅膜的制备、性质和应用。在低于临界电流密度的电流下,在浓氢氟酸中进行阳极处理使硅单晶转变成多孔硅膜。当 N 型硅作阳极处理时,用光照射硅表面以产生阳极反应...
[期刊论文] 作者：Y.Ayasli,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1983
应用FET作开关的X波段GnAs MMIC无源移相器已研制成功。在一块6.4×7.9×0.1mm的芯片上实现了一种插入损耗为5.1±0.6dB的四位数字移相器。The X-band GnAs MMIC passive p...
[期刊论文] 作者：Toshiaki Irie, 胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1976
现代空间活动和一些关键性的工业及科学应用都要求有绝对的把握性。即要求所有需要的系统功能都能成功地完成。在这些应用中,由于设备难于接近,所以更换失效器件往往是困难的...
[会议论文] 作者：胡成烈,李宜君,
来源：中国电子学会90年全国第三届MIC电路及工艺会议 年份：1990
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[期刊论文] 作者：Richard B.Fair,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1975
砷和硼从预淀积层(化学源或离子注入)作同时扩散,已被用来分别制作微波晶体管的发射区和基区。这类晶体管掺杂分布的数学模拟表明:在预淀积——扩散结构中,砷-硼(化学源)的相...
[期刊论文] 作者：R.Champagne,M.Toole,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1978
作为时间和温度函数的硅干氧或水汽氧化的速率,长期来受到了限制。描述一种加压技术,它把增加的压力作为除时间和温度外的第三个影响因素。在这些变量之间作折衷的考虑。评价...
[期刊论文] 作者：Minoru Matsumoto,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：2004
引进一种砷扩散的亚微米发射极,得以研制出在4千兆赫下最小噪声系数为2分贝、相应的功率增益为9.5分贝的硅微波晶体管。为了使低噪声微波晶体管有可能实现,最重要的因素之一...
[期刊论文] 作者：J.I.Pankove,M.L.Tarng,胡成烈,,
来源：半导体情报 年份：1980
把氢化的无定形硅淀积在单晶硅的 p-n 结上,比起现代技术水平的热氧化物钝化剂的性能来,能使其漏电流减小两个数量级。The deposition of hydrogenated amorphous silicon...
[期刊论文] 作者：刘惠敏,胡成烈,
来源：无线电通信技术 年份：1991
本文介绍了微型无盒三分贝耦合器的研制结果.叙述了该类耦合器的特点和在400～2400MHz频带内的性能,以及使用中的注意事项.这种微型无盒三分贝耦合器可以广泛应用干各种徽波电...
[期刊论文] 作者：刘惠敏,胡成烈,李宜君,,
来源：无线电通信技术 年份：1991
本文介绍了微型无盒三分贝耦合器的研制结果.叙述了该类耦合器的特点和在400～2400MHz频带内的性能,以及使用中的注意事项.这种微型无盒三分贝耦合器可以广泛应用干各种徽波电...
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