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[学位论文] 作者：胡诗犇,
来源：华南理工大学 年份：2018
随着显示技术在尺寸、分辨率和刷新率方面的发展,显示面板需要开发具有低电阻电极的高迁移率薄膜晶体管(TFT)阵列来降低信号传输过程的电阻电容延迟。非晶氧化物半导体材料在平板显示器应用方面,以其高迁移率和均匀性的特点而受到研究者们的广泛关注。此外,铜(C......
[期刊论文] 作者：宁洪龙, 胡诗犇, 朱峰, 姚日晖, 徐苗, 邹建华, 陶洪,
来源：物理学报 年份：2004
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而...
[期刊论文] 作者：宁洪龙, 胡诗犇, 朱峰, 姚日晖, 徐苗, 邹建华, 陶洪,,
来源：物理学报 年份：2015
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[期刊论文] 作者：姚日晖, 郑泽科, 曾勇, 胡诗犇, 刘贤哲, 陶瑞强, 陈建秋,
来源：光学学报 年份：2016
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[期刊论文] 作者：宁洪龙,曾勇,姚日晖,刘贤哲,陶瑞强,郑泽科,方志强,胡诗犇,
来源：发光学报 年份：2016
针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得...
[期刊论文] 作者：陶瑞强,姚日晖,朱峰,胡诗犇,刘贤哲,曾勇,陈建秋,郑泽科,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现HfO2有单斜相等结晶生成.450℃下N2退火,HfO2...
[期刊论文] 作者：宁洪龙,朱镇南,陶瑞强,陈建秋,周艺聪,蔡炜,胡诗犇,姚日晖,
来源：发光学报 年份：2017
压电喷墨打印是制备印刷电子器件的主要手段之一,其墨滴喷射状态直接受压电波形的影响,因而压电波形对于器件打印具有重要意义。本文主要研究了压电波形对薄膜晶体管（TFT）电极......
[期刊论文] 作者：宁洪龙,朱镇南,陶瑞强,陈建秋,周艺聪,蔡炜,胡诗犇,姚日晖,徐,
来源：发光学报 年份：2017
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[会议论文] 作者：姚日晖,卢宽宽,胡诗犇,陶瑞强,刘贤哲,宁洪龙,徐苗,王磊,兰林锋,彭俊彪,
来源：中国真空学会2016学术年会 年份：2016
大尺寸、高分辨率、高刷新率和低功耗面板是显示技术发展的趋势,Al 电极已难以满足高性能显示的需求,开发高导布线电极材料意义重大.为了开发高迁移率、低电阻率,同时具备良好附着强度的电极材料,我们对Cu、Cu-0.5％Cr、Cu-0.3％Cr-0.2％Zr 这三种电极进行了研究.采用......
[会议论文] 作者：宁洪龙,曾勇,郑泽科,刘贤哲,胡诗犇,陶瑞强,姚日晖,兰林锋,王磊,彭俊彪,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退火工艺来提高其性能,这对柔性衬底的热稳定性......
[会议论文] 作者：宁洪龙,曾勇,郑泽科,刘贤哲,胡诗犇,陶瑞强,姚日晖,兰林锋,王磊,彭俊彪,
来源：中国真空学会2016学术年会 年份：2016
氧化物半导体被认为是最有前景的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退火工艺来提高其性能,这对衬底的热稳定性、耐温性提出了较高的要求,不利于其在柔性显示器件中的应用.本文采用室温工艺成功制备了Zn......
[会议论文] 作者：姚日晖,郑泽科,曾勇,陶瑞强,胡诗犇,宁洪龙,徐苗,王磊,兰林锋,彭俊彪,
来源：中国真空学会2016学术年会 年份：2016
Al2O3 是一种宽带隙、高介电常数(high-k)的氧化物,常作为薄膜晶体管(ThinFilm Transistors,TFTs)中的栅极绝缘层.其主要制备工艺有阳极氧化法、PECVD、溶胶-凝胶 法等,通常需要进行高温 处理.本研究将通过对 Al2O3 陶瓷靶进行射频磁控溅射(RF magnetron sputte......
[会议论文] 作者：曾勇,宁洪龙,方志强,刘贤哲,陶瑞强,胡诗犇,朱峰,姚日晖,王磊,兰林锋,彭俊彪,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO薄膜电阻率的影响.如图1所示,结果表明:在不通氧气时,AZO薄膜电阻率随衬底温度升高而降......
[会议论文] 作者：胡诗犇,朱峰,陶瑞强,刘贤哲,曾勇,姚日晖,徐苗,邹建华,陶洪,王磊,兰林锋,宁洪龙,彭俊彪,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放......
[期刊论文] 作者：宁洪龙,朱镇南,陶瑞强,陈建秋,周艺聪,蔡炜,胡诗犇,姚日晖,徐苗,王磊,兰林锋,彭俊彪,,
来源：发光学报 年份：2017
压电喷墨打印是制备印刷电子器件的主要手段之一,其墨滴喷射状态直接受压电波形的影响,因而压电波形对于器件打印具有重要意义。本文主要研究了压电波形对薄膜晶体管(TFT)电...
[期刊论文] 作者：姚日晖,郑泽科,曾勇,胡诗犇,刘贤哲,陶瑞强,陈建秋,蔡炜,宁洪龙,徐苗,王磊,兰林锋,彭俊彪,,
来源：光学学报 年份：2017
在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(A_l2O_3)薄膜,通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13Pa时,制备的A_l2O_3薄膜具...
[会议论文] 作者：刘贤哲,陈建秋,蔡炜,胡诗犇,陶瑞强,曾勇,郑泽科,姚日晖,徐华,徐苗,兰林锋,王磊,宁洪龙,彭俊彪,
来源：广东省光学学会2015年学术交流大会暨粤港台光学界产学研合作交流大会 年份：2015
采用磁控溅射法制备非晶掺硅氧化锡(STO)薄膜,用XRD、AFM、Hall 等测试对薄膜进行表征,研究了沉积温度和退火温度对其电学、光学性能的影响.研究结果表明,STO 薄膜在不同...
[期刊论文] 作者：陶瑞强,姚日晖,朱峰,胡诗犇,刘贤哲,曾勇,陈建秋,郑泽科,蔡炜,宁洪龙,徐苗,兰林锋,王磊,彭俊彪,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火...
[会议论文] 作者：宁洪龙,胡诗犇,卢宽宽,陈建秋,蔡炜,刘贤哲,陶瑞强,曾勇,郑泽科,姚日晖,徐华,徐苗,兰林锋,王磊,彭俊彪,
来源：中国真空学会2016学术年会 年份：2016
随着显示技术向高分辨率,高刷新率,大尺寸方向发展,薄膜晶体管阵列布线需要同时具备低电阻率,高结合强度的特性.本文研究了Cu-0.5％Cr 合金在不同制备条件对电学性能和结合强度的影响.通过优化溅射功率,气压,厚度,退火温度等条件,在250W,2mtorr,691nm,400℃真空退......
[期刊论文] 作者：宁洪龙,曾勇,姚日晖,刘贤哲,陶瑞强,郑泽科,方志强,胡诗犇,陈建秋,蔡炜,徐苗,兰林锋,王磊,彭俊彪,李正操,,
来源：发光学报 年份：2016
针对目前大多数氧化物薄膜晶体管都需要采用热退火工艺来提高其性能不利于其在柔性显示器件中应用这一问题,提出了一种采用室温工艺制备的新型TFT器件,无需退火处理即可获得...
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