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[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2001
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在......
[期刊论文] 作者：杨存宇,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2001
用比例差分算符（PDO）方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域（亚阈区和饱和区）的比例差分特性。利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电 流的比例差分特性在所有的......
[期刊论文] 作者：穆甫臣，谭长华，许铭真，MUFu-chen，TANChang,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间...
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,卫建林,
来源：半导体学报 年份：2004
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2004
基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布.发现这两种方法提取的界面陷阱...
[期刊论文] 作者：霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2004
基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及...
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,卫建林,
来源：物理学报 年份：2000
采用干涉方法研究FN振荡电流 ,得到一个精确而且简单的测量栅介质层的厚度及隧穿电子在栅介质层导带中的有效质量的表达式 .通过和求解三角势垒的薛定谔方程得到的结果比较验...
[期刊论文] 作者：毛凌锋,卫建林,穆甫臣,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2001
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 ....
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
利用电荷泵技术研究了 4nmpMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为 .首先 ,对于不同沟道长度下的热载流子退化 ,通过直接的实验证据 ,发现空穴陷阱俘获特性与应力...
[期刊论文] 作者：杨国勇,王金延,霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
在电荷泵技术的基础上，提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用，并且这种方法得到了实验的验证．结果表明......
[期刊论文] 作者：毛凌锋,谭长华,许铭真,卫建林,穆甫臣,张贺秋,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管的氧化层的影响 .对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿...
[期刊论文] 作者：杨国勇,霍宗亮,王金延,毛凌锋,王子欧,谭长华,许铭真,
来源：半导体学报 年份：2003
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0．5、0．275......
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