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[学位论文] 作者：郑坚斌,
来源：天津大学 年份：2001
该文探讨了GaAs HBT在高速和射频领域的应用前景;介绍了HBT的基本原理、基本结构及主要类别;分析了GaAs基HBT制作的关键工艺;较好的解决了InGaP发射极的腐蚀问题,制作出WSi+T...
[期刊论文] 作者：吴浩, 李富华, 郑坚斌,,
来源：中国集成电路 年份：2006
提出了一种经稳压后的电荷泵架构,通过改进传统四相位电荷泵的输出级使效率提高了5%,通过改进传统的控制时钟方案使输出电压纹波降低了38%,已在和舰0.18μm三阱CMOS工艺中得...
[期刊论文] 作者：吴浩,张一平,郑坚斌,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
论述了UMC65nm CMOS工艺实现的全定制全数字锁相环.该锁相环用于提供高速嵌入式SRAM内建自测试所需的时钟.分析了全数字锁相环的工作原理和电路架构,并给出了整个锁相环系统...
[期刊论文] 作者：桑胜男,张立军,郑坚斌,彭增发,
来源：微电子学与计算机 年份：2019
FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态...
[期刊论文] 作者：吴晨,张立军,马亚奇,郑坚斌,
来源：微电子学 年份：2010
分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构.它们都是通...
[期刊论文] 作者：张金峰,李富华,郑坚斌,张昭勇,
来源：微纳电子技术 年份：2008
CMOS工艺进入到65nm节点后，工作电压降低，随机掺杂导致阈值电压变化增大．给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共......
[期刊论文] 作者：张生才,申云琴,旷章曲,郑坚斌,
来源：天津大学学报 年份：2000
论述了采用硅栅 CMOS工艺研制的热印头驱动 ASIC,它由 64位移位寄存器、64位锁存器、64位输出驱动电路和外围缓冲电路组成 .其电路性能为 :在 0 .5 kΩ负载电阻情况下 ,最大...
[期刊论文] 作者：王强,毛友德,王竞,郑坚斌,楚薇,
来源：电子与封装 年份：2004
目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大.本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,...
[期刊论文] 作者：顾昌山,张立军,郑坚斌,彭增发,于跃,
来源：微电子学与计算机 年份：2019
为了解决存储器测试数据映射到失效存储单元效率较低且精确度不够的问题,本文提出一种存储器测试辅助分析的方法:首先通过修改存储器编译器(memory compiler),使其自动生成存...
[期刊论文] 作者：张立军,王子欧,于跃,郑坚斌,毛凌锋,,
来源：微电子学 年份：2012
提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案。该方案在内建自测试(BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为SRAM性能的实速测试提供一个高频时钟,同时...
[期刊论文] 作者：申云琴,张生才,牛秀文,郑坚斌,旷章曲,
来源：天津大学学报 年份：2000
对热敏打印头电学性能及其测试原理进行了分析研究 ,并重点讨论其耐电脉冲冲击性能的测试 ;同时对测试仪设计原理 ,以及测试仪信号源、计数显示、功率驱动等主要组成部分进行...
[期刊论文] 作者：冯李,张立军,郑坚斌,王林,李有忠,张振鹏,,
来源：电子设计工程 年份：2017
随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的...
[期刊论文] 作者：张振鹏,张立军,郑坚斌,于跃,索超,李有忠,,
来源：电子设计工程 年份：2017
近年来，物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法，但是随着电压的降低，电路的性能也会急剧下降。针对这一问题。本文运......
[会议论文] 作者：郑坚斌,刘训春,王润梅,李无瑕,钱永学,杨雪莹,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文比较了SF对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准....
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