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[学位论文] 作者：郝敏如,,
来源： 年份：2014
采用高温固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca1–xWO4:xEu3+(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)及Ca0.5WO4: Eu3+0.25, M+0.25(M=Li, Na, K)，通过X射线衍射(XRD)分析了荧光粉样品...
[学位论文] 作者：郝敏如,,
来源：西安电子科技大学 年份：2018
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[会议论文] 作者：郝敏如,,
来源： 年份：2014
采用高温固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca1–xWO4:xEu3+(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)及Ca0.5WO4: Eu3+0.25, M+0.25(M=Li, Na, K)，通过X射线衍射(XRD)分析了荧光粉样品...
[期刊论文] 作者：张倩, 郝敏如,,
来源：电子科技 年份：2019
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至...
[期刊论文] 作者：郝敏如,廖晨光,,
来源：数学的实践与认识 年份：2016
介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五...
[期刊论文] 作者：廖晨光,郝敏如,
来源：电子科技 年份：2018
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电...
[期刊论文] 作者：廖晨光, 郝敏如,,
来源：电子科技 年份：2018
针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体...
[期刊论文] 作者：廖晨光,郝敏如,
来源：电子科技 年份：2018
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真（TCAD）的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对......
[期刊论文] 作者：郝敏如, 李桂芳, 贺文文,,
来源：硅酸盐学报 年份：2004
采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca1–x WO4:xEu3+(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)及Ca0.5WO4:0.25Eu3+,0.25M+(M=Li,Na,K),通过X射线衍射(XRD)分析了荧光粉样品的物相,...
[期刊论文] 作者：贺文文,李桂芳,高硕,郝敏如,
来源：人工晶体学报 年份：2014
采用溶胶-凝胶燃烧法合成了不同Sr2＋掺杂浓度的Ca0.5-xWO4∶Eu3＋0.25Li＋0.25Sr2＋x（x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25）红色荧光粉,分别采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和荧光分光光度计...
[期刊论文] 作者：郝敏如,胡辉勇,廖晨光,王斌,赵小红,康海燕,苏汉,张鹤鸣,,
来源：物理学报 年份：2017
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时...
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