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[学位论文] 作者：钟英辉,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有电子迁移率高、噪声低、功耗低及增益高等特点，是毫米波段最具竞争力的半导体器件之一，在高速、高频等应用领域中占据着重要的地位。本文重点......
[期刊论文] 作者：钟英辉,,
来源：教育教学论坛 年份：2015
新媒介具有交互扁平化、传播网络化等特性，发展迅猛。我国网络舆情复杂，大学新媒介素养教育相对落后。因此，合理利用大学资源，区分新媒介道德、辩证识别信息、新媒介运用，对开展大......
[期刊论文] 作者：钟英辉,,
来源：当代经济 年份：2016
电力行业作为我国各个领域发展的基础行业,近年来的发展日益迅速。但是在供电事业单位的运营中仍然存在一些问题,其中最明显的是中层管理者的绩效考核问题,中层管理者作为企...
[期刊论文] 作者：钟英辉,,
来源：现代经济信息 年份：2016
供电企业与人们的生活息息相关,是国民经济的重要组成部分,发挥着重要的作用。随着经济社会的发展,供电企业的市场竞争日益激烈,对企业的员工素质提出了更高的要求。目前,供...
[期刊论文] 作者：钟英辉,
来源：理科爱好者(教育教学版) 年份：2019
【摘 要】高中生在学习数学概率问题时常常会出现一些由于概念混淆等原因而引起的错误。为了避免这些错误，提高学生解决概率问题的解题能力，笔者认为可以首先对易错的问题加以归纳和分析，然后总结经验和教训，为今后的概率问题提供解答思路和方法。 【关键词】高......
[期刊论文] 作者：钟英辉,,
来源：世界华商经济年鉴·科技财经 年份：2012
继电保护设备故障类型多种多样,处理方法也要根据实际情况而灵活应用.本文总结了大量的实际工作经验,得出了快速查找继电保护设备故障的几种经典方法,对快速查找故障点,提高...
[期刊论文] 作者：钟英辉,
来源：医学信息 年份：2015
目的重点探索他汀类药品的非降脂作用，并探究他汀类药品用于治疗慢性肾脏病的疗效。方法选取的研究对象是2012年1月~2014年7月在我院接受治疗的106例慢性肾脏病患者，将患者随机...
[期刊论文] 作者：钟英辉,
来源：医学杂志 年份：2014
摘要：目的 循证药学大环内酯类抗生素联合β内酰胺类抗生素应用的合理性。方法 利用中国知网检索2007年～2013年医药学文献，综合分析大环内酯类抗生素和β内酰胺类抗生素联合应用的体外试验用药和临床效果。结果 大量实验研究和临床实践都表明，大环内酯类抗生素联合......
[期刊论文] 作者：钟英辉,李凯凯,李新建,金智,
来源：红外与毫米波学报 年份：2015
基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高...
[期刊论文] 作者：杨洁,谷肖飞,路书祥,钟英辉,
来源：通信电源技术 年份：2021
模拟电子技术课程是一门偏向于应用类的电子专业基础课,教学内容较多且难度较大。随着Multisim软件的应用,很好地弥补了传统实验课程的不足,教师可以在讲课过程中实时演示实...
[期刊论文] 作者：马刘红,李梦珂,钟英辉,段智勇,
来源：当代教育实践与教学研究（电子刊） 年份：2021
半导体专业是工程应用型学科,着重培养学生的实践能力,实验教学环节至关重要.由于实验成本及实验场地的局限性,半导体加工技术实验难以线下开展.长期以来,课程理论与实践难以...
[期刊论文] 作者：朱维军,王鑫,钟英辉,樊永文,陈永华,
来源：计算机科学 年份：2019
系外行星的宜居性是近年来探索宇宙的一个热点研究课题,机器学习为系外行星宜居性分类提供了一种可行的手段。然而,现有的宜居性分类效果面临严重不足与局限。为此,给出一种...
[期刊论文] 作者：钟英辉,杨洁,马刘红,李梦珂,段智勇,
来源：电气电子教学学报 年份：2021
当前,我国高水平集成电路专业人才缺乏是限制微电子产业发展的瓶颈。本文提出:①理论和虚拟实践相结合的一体化教学模式;②团队考核为主的学业考核制度;③科技前沿专题讲座和...
[期刊论文] 作者：段智勇,马刘红,李梦珂,钟英辉,路书祥,
来源：电气电子教学学报 年份：2018
国内物理院系中多设有工科专业。但其发展易受限制，课程设置不合理，人才引进困难，科研工作难以展开进而影响人才培养。本文提出通过区别性人才引进、理工结合的课程体系设置、优......
[期刊论文] 作者：钟英辉,弓巧侠,李梦珂,马刘红,段智勇,
来源：电气电子教学学报 年份：2021
半导体有源器件和无源元件是构成各种集成电路的基本要素,其中半导体有源器件是决定集成电路性能的核心元件,“半导体器件物理”课程是电子科学与技术学科重要的专业基础课程...
[会议论文] 作者：金智,苏永波,姚鸿飞,宁晓曦,钟英辉,
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
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[期刊论文] 作者：朱维军，王鑫，钟英辉，樊永文，陈永华，ZHUWei-jun，WANGXin，ZHONGYing-hui，FANYong-wen，CHENYong-hua,
来源：计算机科学 年份：2019
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Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for In P-based InAlAs/InGaAs
[期刊论文] 作者：孙树祥,吉慧芳,姚会娟,李胜,金智,丁芃,钟英辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Direct current(DC) and radio frequency(RF) performances of InP-based high electron mobility transistors(HEMTs)are investigated by Sentaurus TCAD. The physical m...
[期刊论文] 作者：钟英辉,张玉明,张义门,王显泰,吕红亮,刘新宇,金智,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
In this paper, 0.15-μm gate-length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based high electron mobility transistors(HEMTs) each with a gate-width of 2 × 50 μm are...
[期刊论文] 作者：钟英辉,王显泰,苏永波,曹玉雄,张玉明,刘新宇,金智,
来源：红外与毫米波学报 年份：2013
成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器件％s为1．7V、VGS为0．1V时，其有效跨导达到了1052m...
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