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[会议论文] 作者：钱梦亮,陈俊标,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文介绍了600 VPT型及NPT型IGBT的产品研制及在相关领域的应用.600 V IGBT的试验测试曲线及数据分析表明：两种方案的IGBT,其击穿电压BVCES都满足大于600 V要求；NPT型IGBT...
[会议论文] 作者：马荣耀,钱梦亮,李泽宏,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
本文提出一种槽栅MOS控制的TMCT品闸管。该器件为六层结构，包括品闸管部分、PNP品体管部分和槽栅控制部分。借助仿真软件MEDICI分析该器件的电流分布和i-v特性，并与EST器件和IGBT器件对比；结果表明TMCT能具有更小的元胞、更均匀的电流分布和更大的电流饱和能力。理......
[会议论文] 作者：李泽宏,钱梦亮,廖忠平,张波,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
文中分析了一种新型的超势垒整流器SBR(SBR：Super、BarrierRectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时给出了该器件的工艺制造流程，并对其进行了模拟仿...
[期刊论文] 作者：钱梦亮,李泽宏,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2010
An accumulation channel trench gate insulated gate bipolar transistor(ACT-IGBT) is proposed.The simulation results show that for a blocking capability of 1200 V...
[期刊论文] 作者：钱梦亮,李泽宏,张波,李肇基,,
来源：半导体学报 年份：2010
A new trench gate IGBT structure with a floating P region is proposed,which introduces a floating P region into the trench accumulation layer controlled IGBT(TA...
[会议论文] 作者：洪辛,钱梦亮,李泽宏,张波,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工作机理及相关特性进行了阐述及仿真分析，并根据其载流子浓度分布和电流连续性方程建立了具有缓冲层结构的积累层沟道TIGBT的正向压......
[会议论文] 作者：吴博,钱梦亮,连延杰,李泽宏,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反......
[会议论文] 作者：王蓉,钱梦亮,谢刚,曹奎,李泽宏,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压降和关断时间的折中关系，且反向阻断特性好。...
[会议论文] 作者：钟圣荣,钱梦亮,李泽宏,张波,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真结果表明，新结构有效地抑制寄生晶闸管的闩锁...
[会议论文] 作者：吴博,李泽宏,钱梦亮,连延杰,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 年份：2008
提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反向恢复时间和反向恢复电流都比常规VDMOS结构的小。......
[会议论文] 作者：周春华,易黎,钱梦亮,李泽宏,胡永贵,刘勇,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ES......
[会议论文] 作者：钱梦亮,周春华,杨舰,李泽宏,胡永贵,刘勇,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“...
[会议论文] 作者：钱梦亮,李泽宏,胡永贵,刘勇,周春华,杨舰,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明，该器件可很好实现双向的ESD保护，在宽度为1000μm情况下，抗ESD能力......
[会议论文] 作者：周春华,李泽宏,胡永贵,刘勇,易黎,钱梦亮,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良好。通过对模型进行解析运算，得到栅极输入......
[期刊论文] 作者：谢刚,廖忠平,李泽宏,周春华,钱梦亮,吕沛,王宇,易黎,
来源：微电子学 年份：2008
提出了一种新型的超势垒整流器（SBR）。对SBR结构势垒进行了理论分析，建立了该器件正向压降的解析式，并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极......
[会议论文] 作者：廖忠平,周春华,钱梦亮,谢刚,吕沛,王宇,易黎,李泽宏,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR：Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明：SBR的...
[会议论文] 作者：廖忠平,李泽宏,周春华,钱梦亮,谢刚,吕沛,王宇,易黎,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR：Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小，反向恢复特性优于常规PN结二极管；SBR比肖特基二极管的可靠......
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