在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而......

讨论了 Co Si2 SALICIDE结构对 CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响 .通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表......

在半导体器件的制造过程中,尤其是在0.18um及其以下的制造工艺中,自对准金属硅化物（Salicide,Self-Aligned Sili-cide）工艺是一项极......

随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100nm，传统自对准硅化物材料，如TiSi2和Co—Si2，由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽......

讨论了ＣｏＳｉ２ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构对ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明，ＣｏＳｉ２ＳＡＬＩＣＩＤＥ结构不仅可以降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的源......