外量子效率相关论文
随着半导体产业的发展,发光二极管（Light-Emitting diode,LED）凭借着其高效、节能的优势逐渐取代了传统光源在生产生活中的地位。然......
微米LED（Micro-LED）是指尺寸在50μm以下，去除外延衬底的LED，相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率，低能耗等优势。本文首先介绍......
金属卤化物钙钛矿材料具有可调的发光波长、高光致发光量子效率、高色饱和度、低成本和室温溶液加工等优点，有望成为下一代全彩显示......
有机发光二极管（OLED）已成为近年来非常热门的新兴显示和照明器件。因其具有自发光、响应速度快（1μs量级）、能耗低、可视范围广（170°......
介绍了倍增型有机光电探测器的发展、工作机理、性能调控及相关的应用探索.2015年张福俊课题组以单载流子传输通道的给受体混合(质......
期刊
金属卤化物钙钛矿是一种直接带隙半导体材料,具有优异的光电特性,在发光二极管（light-emitting diode,LED）等方面有着广阔的应用前景......
金属纳米颗粒的表面等离子体共振效应能够对特定波长入射光的吸收或者散射增强,正因为其独特的光学性质,金属纳米颗粒被尝试应用于......
有机光电倍增探测器因其高外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）成为人们的研究热点。陷阱掺杂是实现有机光电探测器电流倍......
红光材料在光电领域、生物成像和荧光探针等领域中具有重要的应用,而有机红色荧光材料具有分子结构灵活易调控和价格低廉等优点而......
光电探测器是一种可以将入射光信号转换为电信号的器件,它被广泛的应用到航空航天、光通信、环境监控和生物传感等诸多科学领域。......
在测量太阳电池的外量子效率(EQE)时，加入偏置白光可以减小由陷阱带来的误差。本文研究太阳电池EQE与光生载流子浓度和开路电压之间......
当前,基于GaInP/GaInAs/Ge三结结构的晶格匹配型太阳能电池已成为空间和地面聚光应用的主流.以上电池结构的带隙组合多为1.85eV/1.......
报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备......
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下由于载流子泄露而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性......
在InP衬底上通过金属有机物化学汽相淀积(Metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)的方法制成了能隙为0.6eV的In0.68Ga0.32......
对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可......
有机发光二极管(OLED)作为新一代的显示和照明技术而获得广泛的关注。作为决定其商业应用的关键技术，发光层材料的合成一直是大家关......
p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中, 部分电池片出现黑斑现象。结合X射线能谱分析(EDS), 对黑斑片与正常片进行对比分析, 发现黑斑......
The effect of quantum well number on the quantum efficiency and temperature characteristics of InGaN/GaN laser diodes (L......
纳米压印技术（NIL）是一种机械制备纳米图形的微加工技术，它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时，它可以大面积制备......
一维CsPbI3半导体纳米材料优良的光电特性，如高吸收系数、长载流子扩散长度、高载流子迁移率、长载流子寿命，以及其一维导电通道限制......
近年来，全无机钙钛矿纳米晶因其优越的光电性能以及在光电器件中的突出表现引起了人们的广泛关注。在短短三年的时间内，CsPbBr3纳米......
有机发光二极管(OLED)凭借其自发光、全固态、柔性、宽色域等优点，已经快速进入显示和照明市场。第三代的纯有机热致延迟荧光(TADF)......
目前，纳米光电器件以及集成系统成为光通信领域重点凝练的研究方向，其中半导体激光器和光电探测器作为光通信系统的信号发射器和接收......
金属卤化物钙钛矿(metal halide perovskite,MHP)因其优异的光电性能以及可溶液加工,有潜力成为下一代显示和照明设备的核心发光材......
锡基钙钛矿太阳能电池(TPSC)是最具有应用前景的一类无铅钙钛矿太阳能电池(PSC).然而,锡基钙钛矿结晶性差和化学不稳定性是制约其......
国家纳米科学中心研究员孙连峰课题组与研究员谢黎明课题组合作,设计制备出一种三维钙钛矿———一维氧化锌(CsPbBr3-ZnO)p-n异质......
对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一.1,2,3选择合适的界面层可......
介绍在蓝宝石衬底制作二维光子晶体以提高GaN基LED的外量子效率的研究。衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息和ICP干法刻蚀技术......
通过表面处理的方式改变蓝色OLED器件表面粗糙度从而提高器件外量子效率取得了很大的成功.文中通过喷砂打磨技术来粗糙化器件的表......
聚乙烯亚胺(PEIE)能有效地提高有机-无机复合发光器件中氧化锌对发光聚合物特别是具有较低电子亲和势蓝色发光聚合物的电子注入效......
近年来,共轭聚合物和钙钛矿型有机金属卤化物被视为极具潜力的光伏材料,引起了广泛的研究兴趣.本文通过引入两种本体异质结(BHJ)聚......
有机金属卤化钙钛矿(CH3NH3Pb X3)作为一种新型的半导体材料在光伏领域引起了广泛的关注.同时,有机金属卤化钙钛矿所拥有的光致发......
聚合物电致发光器件由于在大面积平板显示和固态照明上的潜在应用,在学术研究和工业应用领域引起了广泛的关注。聚合物电致发光器......
介绍了ＩｎＧａＡ１Ｐ超高亮度发光二级管的材料、器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度投红色、黄色和绿色发光二极管。......
聚合物与有机染料多层复合膜电致发光颜色的直流电压调制马於光，薛善华，黄劲松，田文晶，刘式墉，沈家骢，刘晓冬（吉林大学分子光谱与分子结构......
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器（ＬＤ）、超辐射发光二极管（ＳＬＤ）和发光二极管（ＬＥＤ）上进行了大量的Ａｌ２Ｏ３和ＺｒＯ２减反射膜的工艺研究。......
报道了高亮度ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在２０ｍＡ工作电流下，最大发光强度约５００ｍｃｄ。
The fabrication and experimental......
采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析......
研制成功了 Ga_(1-x)Al_xAs/Ga_(1-y)yAl_yAs 双异质结红色(670nm 发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延,并改进了......
把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激......
有机多层白光发光二极管贝尔实验室的Ｄｏｄａｂａｌａｐｕｒ等人报道了一种新型的有机多层白光发光二极管。他们利用８－羟基喹啉铝（ＡｌＱ）作为绿光发光层，ＤＣＭ１作为红光发......
