漂移迁移率相关论文
Y98-61303-393 9905658用 n-i-n 二极管对无序的(Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P 中的 J-X交迭结构的估计=Estimation of the J-X ......
在X射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其我流子特性对应用至关重要．本文描述了非晶硒（掺砷）合金......
InSb/LiNbO_3单片型SAW声电放大器是新近出现的一种固态电子器件,由于它有许多优点,引起了人们的极大兴趣.本文简要叙述了苏、美等......
本文描述一种以n型CMT(碲镉汞)为基础的新型红外器件。该器件在串扫热成象系统或串并扫热成象系统中同时起探测和时间延迟与积分的......
第1期多声子复合理论中绝热近似是否失效的问题··,····,·························……黄昆(1)低......
本文报导了在分子束外延(MBE)生长的沟道层上制作的“T”形Ti/W/Au栅GaAs肖特基势垒场效应晶体管的噪声性能。标称栅长约为0.7μm,......
本文介绍了非晶光电导材料漂移迁移率的测试和信号典型波形.分析了测试系统中对所测微弱信号的干扰情况,并对干扰源的衰减抑制以及......
砷化镓肖特基场效应管有源层中的电子迁移率分布对器件有重要的影响,改变负栅偏压可以测出不同深度处的迁移率,但是由于表面总是处......
对锗单晶的锂可漂性和陷阱效应进行了研究。结果表明,锂漂移迁移率和有效载流子寿命是评价单晶的主要参数。
Lithium bleaching a......
本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质,未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型,相应的电子漂移迁移率为10~(-2)～10~......
本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度......
掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜......
本文主要介绍用锂漂移方法制备单开端同轴锗(锂)[Ge(Li)]探测器的工艺及其主要性能的测试结果。试制成的探测器的灵敏体积为26—43......
一、序言具有优越能量分辨率的锗、硅探测器已发展到市售水平,各个领域有着广泛应用。探测器发展的目标将是进一步对新材料的研制......
根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。......
本文叙述了单块表面波声学放大器的特性。在鈮酸鋰基片上眞空淀积锑化銦制成,在660兆赫下得到终端增益为24分贝,电性增益为70分贝......
在Ｘ射线医学成象和无损检测方面，非晶硒现在被认为是最有前途的探测材料之一，其载流子我对应有 关重要本文描述了非晶硒（掺砷）合金材料......
