电阻场板相关论文
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程......
提出具有电阻场板（Resistive fieldplate，RFP）硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程，此模型给出了二维表面......
通过在SOI－LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构，IGBT的性能值以大幅提高，p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到，在IGBT关断过程中，p－M......
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准......
本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80％以上。对这种终端结构的设计,采用了......
