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新能源汽车电池输出的直流电通过IGBT进行逆变,将直流电转换为交流电驱动马达工作,每颗IGBT均需搭配一颗快恢复二极管用作续流。通......
提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证.与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬......
本文在简单介绍快恢复二极管(FRD)关键参数物理模型理论的基础上,结合仿真数据说明器件结构变化对参数的影响,并以实际流片结果简......
该文在深入研究常规MCT器件性能的基础上,针对其在电流关断能力及正向特性等方 面所存在的结构限制,提出了三种新型的场控器件结构......
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程......
通过在SOI－LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构，IGBT的性能值以大幅提高，p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到，在IGBT关断过程中，p－M......
在电力系统、轨道交通等高压应用领域,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及快恢复二极管(fast recover......
本文设计了一种基于1X/1.5X电荷泵的高效白光LED驱动电路.该电路根据负载调整电荷泵的工作模式,使其尽可能地工作在高效率的1X模式......
随着国力的增强,我国在电力电子相关领域注入了大量的人力、物力,作为电力电子技术中的基础——功率半导体,正在快速发展,国产功率......
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域......
碳化硅(SiC)是一种具有宽的禁带、高击穿电压、高热导率、高电子饱和速率以及高抗辐照的半导体材料,近年来由于它的优良特性而受到......
碳化硅（SiC）以其优越的性能成为制作高频、抗辐照、耐高温、功耗小及大功率电子器件的理想半导体材料。结势垒肖特基二极管（JBS）结合了......
