磁隧道结相关论文
具有磁各向异性的二维磁性材料可在有限温度下和单层极限下形成磁有序,其宏观磁性与层数、堆叠形式等密切相关且其磁交换作用可被......
在无线通信、导航定位、雷达技术、环境遥感以及医学研究等领域,微波功率可用来表示信号特征、确定技术指标以及提高系统可靠性;在......
校准技术在集成电路设计领域一直以来都扮演着重要角色,对于传统的通用芯片设计而言,投入成本高,设计周期长使得一个完整的芯片设......
基于隧穿磁电阻效应（Tunnel Magnetoresistance,TMR）的磁传感器由于具有灵敏度高、体积小、成本低等突出优点,在弱磁探测领域应用前......
本文提出了在典型2T1MTJ自旋轨道扭矩-磁随机存储器(SOT-MRAM)阵列的源极线上增加平衡晶体管的新结构,有效解决对一个存储单元进行......
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。......
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过溅射不同厚度的MgO薄膜探索提高MgO晶化质量的方法.利用X射线衍......
长期以来，随着信息产业的不断发展，在自旋电子学领域的研究越来越受到人们的广泛关注。而在设计发展相关的磁存储器件时，人们发现利用......
本文在考虑磁隧道结单元中被钉轧磁性层的静磁作用基础上,对其自由层三个退磁张量元的分布进行了微磁学计算,表明被钉扎层的静磁作......
由卷曲的磁矩组成的涡旋态是软磁材料的一个基本平衡态，它广泛的存在于方形或者圆形的纳米材料中，并产生了丰富的物理现象。2000年，T.......
采用宏自旋模型和Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程讨论了垂直磁化隧道结的磁化翻转,结果表明:(1)减小隧道结自由层......
在半导体制备工艺向14nm节点发展的过程中,基于多晶硅的传统存储技术逐渐接近其极限,需要探索新型的存储技术。自旋转移力矩磁随机......
近年用电流驱动的自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)和自旋轨道矩磁随机存储器(SOT-MRAM)改变了传统的磁场驱动磁化翻转的方式,在......
由于人们对计算速度和存储能力的要求不断增加,现代微处理器的尺寸经历了惊人的微小化过程。集成电路被广泛应用于生活和生产的各......
垂直磁各向异性材料构成的磁性纳米柱自旋器件具有良好的热稳定性、较低的临界翻转电流以及受样品尺寸比影响小等突出优点。对于具......
采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlOx/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理.将在不同温度退火的磁隧......
重点研究了磁性隧道结(MTJ)的电学性能受离子注量影响的物理规律.实验首次发现了高能Ta离子辐射损伤导致MTJ电学功能失效的现象,主......
多铁隧道结是将传统的磁隧道结的绝缘层换成铁电或者多铁材料的一种铁磁/铁电(多铁)/铁磁的三明治结构的隧道结，它集成了传统磁......
本文研究了复合型磁性隧道结中隧穿磁阻(TMR)的偏压依赖理论.在数值上给出了AlO/ZrO复合型隧道结中的TMR偏压依赖的不对称特征.并......
通过测量磁隧道结Py/CoFe(t)/AlO/Py的TMR随CoFe楔型薄膜厚度的变化关系,观察到TMR随CoFe厚度增加而缓慢趋近饱和,也就是发现至少1......
基于自旋转移矩效应的新一代非易失性磁存储器融合了动态存储器的低成本、静态存储器的高速读写性能、闪存的非易失性三者的优势，并......
随着科技的发展和大数据时代的到来，信息已经成为人们正常生活中不可分割的一部分。大数据的记录使得小器件、大容量的存储器件成为......
随着信息技术与信息产业的迅速兴起，特别是多媒体计算机网络在全球的延伸和普及，人们需要存储、处理和传递的数据量呈几何级数式急剧......
食品安全在我国存在着严峻和突出的问题，已成为民众关注的焦点。其中，食品中兽药残留问题已引起人们的广泛关注。为解决一些现有常规......
隧穿磁电阻效应由于磁电阻效应大、耗能小等优点,在计算机硬盘的读出磁头、磁性随机存储器和各类磁传感器等方面有重要的应用价值．......
巨磁电阻效应由于其在信息处理与存储方面的巨大应用前景和丰富内在物理内容引起了物理和材料学界的广泛关注.显微结构对自旋相关......
隧道磁电阻效应(TMR)由于其在信息处理与存储方面的巨大应用前景和丰富内在物理内容引起了物理和材料学界的广泛关注。对于磁记录......
本论文针对在未来光电子和自旋器件应用方面具有重要前景的ZnO磁性掺杂及隧道结材料中关键科学和技术问题，利用电子显微分析在低维......
本文关注磁隧道结和ER(electrorheological)流体的一些物理性质。众所周知,电子具有电荷和自旋两种属性。通常的半导体技术只利用......
自旋阀和磁隧道结是两类最重要的自旋电子学器件，它们的结构为“铁磁自由层/非磁金属或绝缘层/铁磁参考层/反铁磁”。近些年来，他们......
作为一门将电学、光学和磁学高度融合的学科，自旋电子学自问世以来便得到了人们广泛的关注。自旋物理过程由于其内秉的磁学特性，使得......
利用电子全息显微学方法,从理论和实验两方面,系统研究了磁隧道结势垒层的内势分布,指出了一些在实验过程中应予以注意的实验现象,......
磁隧道结通常是指由两层磁性金属和它们所夹的一层氧化物绝缘层(Ⅰ)所组成的三明治结构.通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的,这......
基于密度泛函理论的GGA计算,我们具体研究了Hg2 CuTi型Heusler合金Ti2 FeB的电子结构和磁性质,结果发现Ti2FeB合金在其费米面处存......
磁隧道磁电阻效应具有饱和磁场低，工作磁场小，磁电阻大，灵敏度高等优点，从而在计算机信息存贮和高灵敏传感器方面有着广泛的应用前景。......
剑桥大学的拉塞尔·考伯恩和马克·韦兰率先提出磁效应控制信息的磁微处理器集成电路，并以一列列磁点代替导电线路，每个磁点......
简述了现有掩模技术制备磁隧道结的过程;指出了采用定位图形套准模板存在的弊端;介绍了1种将基片固定,利用定位螺栓套准模板的装置......
随着器件尺寸的缩小和集成度的不断提高,电子器件的发展正遭遇功耗以及尺寸极限等瓶颈。为突破这些瓶颈,许多新型的电子器件模型应......
利用磁控溅射设备和光刻技术，采用金属等离子体氧化法，设计制作了10μm×15μm的Co／Al2O3／FeNi磁隧道结，并在77K下对其输运特性进行......
磁电存储器不仅存取速度快、功耗小,而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身,因而已成为动态存储器研究领域的一个热......
近十年来国内对多层膜巨磁电阻效应的研究主要从金属多层膜、纳米颗粒膜、磁隧道结、氧化物薄膜四个方面展开,侧重研究了多层膜巨......
简要回顾了利用量子隧道效应测定铁磁金属传导电子自旋极化率的研究历史，综述了自旋极化电子隧穿产应导致的“铁磁金属／非磁绝缘体／铁......
