等离子体CVD相关论文
以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响......
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低压气相金刚石薄膜硬质合金刀具在直流弧光放电等离子体CVD镀膜设备上制备。基底为YG6（WC-6％Co．质量分数）硬质合金刀具。采用洛氏（HRA）......
分析了Si3N4二次相变化对化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长的影响.氮化硅基底是将生坯试样放入Si3N4/BN粉末床内,通过无压烧结而成......
Ge Si薄膜的光学特性可以随内部组分的变化而变化 ,在光电子集成方面优于 Ga As、In P等传统的发光材料 ,已引起了人们的广泛关注......
类金刚石薄膜等硬质碳膜具有许多优异特性,其开发研究已引起人们的极大关注.文章就类金刚石薄膜和金刚石薄膜的最新制备方法与各种......
本文利用热丝辅助射频等离子体CVD法在渗硼铁样品上成功地生长了c—BN薄膜。薄膜的维氏硬度高达4500Kg/mm~2,c—BN膜与Fe衬底的附......
基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Ram......
