辐照响应相关论文
当采用高压充气电离室作为核爆炸早期核辐射中γ辐射周围吸收剂量D*(10)的测量装置时,研究其在脉冲辐照条件下的响应,确定其可以作......
单晶硅太阳电池板已广泛应用于光伏发电中,表征太阳电池板输出电路特性的参数包括光生电流Iph、反向饱和电流I0、串联电阻Rs、并联......
本文研究了国产商用MOSFET在0.01.1、50 rad(Si)/s三种剂量率条件下的电离辐照效应及退火特性.结果表明,由于辐照感生的氧化物电荷......
p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大......
本文对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶......
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐......
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐......
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率......
本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率......
MOSFET总剂理加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式下没条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化陷阱电荷和......
在不同剂量率的Coγ辐照下，PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I-V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献，结果......
分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明，把适量的F注引入栅介质，能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈......
研究了不同偏置条件对ＰＭＯＳ探头样品辐照响应的影响．在－ １～１ＭＶ／ｃｍ 的电场范围内，获得了偏置对ＰＭＯＳ剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律．利用“空穴陷......
为了探索细胞的发信号系统的非线性的活动，一只 transcriptional 手臂和一只蛋白质相互作用手臂创作了，我们使用一个照耀反应模块学......
对辐射致色薄膜剂量计（ＰＶＧ）的辐照响应过程进行了研究，发现其剂量响应曲线上有一极大点，考查了隐色孔雀绿（ＬＭＧ）的极大转化率Ｃｅｘｔ与隐色孔雀绿（ＬＭＧ）和有机......
对辐射致色薄膜剂量计（ＰＶＧ膜剂量计）的辐照响应过程进行了研究，计算出了ＰＶＧ膜剂量计中孔雀绿（ＭＧ＾＋）的辐射化学产额Ｇ（ＭＧ＾＋）当膜中组分隐色孔雀绿（ＬＭＧ）的量含量为......
研究了不同偏置条件对ＰＭＯＳ探头样品辐照响应的影响。在－１～１ＭＶ／ｃｍ的电场范围内，获得了偏置对ＰＭＯＳ剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律。利用“空穴......
基于沟道调效应、串联电阻效应的考虑，首先建立了一个和实验室符合很好的６Ｈ－ＳｉＣＪＦＥＴ的模型，在该模型中采用了两种电离杂质模型和Ｃａｕｇｈｅｙ－Ｔｈｏｍａｓ方程，接着在分析......
ｐＭＯＳＦＥＴ剂量计多管级联结构电离辐射响应持性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了......
