Au Ge_(12)合金是一种低熔点共晶材料,共晶温度为356℃。可用作半导体、微波器件中的欧姆接触材料。它与N 型Ga As 可形成较好的......

在n型砷化镓上测量了合金后的Ni-AuGe-Ni接触的接触电阻。接触的质量强烈地受半导体表面予蒸发清洗的影响。与化学腐蚀相比,溅射清......

用断面透射电镜技术,直接观察了实际欧姆接触工艺中AuGe/GaAs和AuGeNi/GaAs的横断面组织,并用选区电子衍射方法测定其反应产物。 ......

本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的......

测试了40CrNiMoA高强钢在湿空气环境中的应力腐蚀性能，采用扫描电子显微镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）和拉伸冲击试验等方法，研究试样断裂......