Cz法相关论文
本文对丘克拉斯基（Czochralski CZ）法生长YVO4晶体的工艺特点进行了评述，根据有限差分的方法，用VC++语言编写了场量计算程序，对YVO4双折......
该文对丘克拉斯基（Czochralski-Cz）法生长Nd:YAG晶体的工艺特点进行了评述,并在此基础上进行了Nd：YAG晶体Cz法生长的数值模拟研究.在......
Si-TaSi2共晶自生复合材料作为半导体金属共晶材料（SEM）之一，具有较低的功函数、良好的电传输特性和自生肖特基结等特点。本文采用切......
本文针对Cz法晶体生长特点,通过数值模拟的方法,对Cz法生长砷化镓单晶时从引晶、放肩、等径至收尾这一完整工艺过程中晶体的温度场......
给出了Ｃz法Ｎd:YAG晶体生长系统的温度场，浓度场及速度场的模型，结合相应的边界条件，用有限差分法求解了该模型。并用Ｄelphi语言编写数值......
数值分析结果表明,外加磁场可以改变熔融半导体中的流型,几千高斯的磁场可以显著地减小熔体的流动,但对温度场影响不大。......
CZ法硅单晶生长系统具有强非线性及大滞后的特点。本文就该系统建立了传热传质的低阶模型,计算了该模型在初始条件下的稳态解,并进......
利用锗硅单晶（锗浓度约为10^19cm^-3)切制成的籽晶和一般无位锗硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平衡降低拉速的工艺，生......
本文针对Cz法晶体生长特点,通过采用数值模拟的方法,对Cz法生长砷化镓单晶时从引晶、放肩、等径至收尾这一完整工艺过程中晶体的温......
用Cz法生长尺寸为Φ25×30mm的高质量的PWO晶体,设计了合理的工艺参数,总结了影响PWO晶体完整性的因素.发现晶体开裂有四种形......
介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于８￣１２μｍ红外系的锗 晶体的生产地、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯......
利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的......
本文提供了CZ单晶炉的一种新的自控方法。在熔硅和石墨坩埚之间加上一个几百伏的直流电压U时,电路中将得到一个毫安级的直流电流I_......
用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。......
本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等......
GaAs太阳能电池因其光电转换率高,抗空间辐射性能好,温度特性好,寿命长等优点而越来越多的被各国运用到空间供电电源中。低位错Ge......
建立了一个120 kg单晶炉的二维轴对称全局模型,分别对无旋转、加入晶体旋转、加入坩埚旋转、同时加入晶体旋转和坩埚旋转的四种工......
在众多固体激光基质材料中,氟化物激光基质材料具有化学稳定性好、熔点较低、高浓度掺杂依然透明、自发辐射荧光寿命长、折射率受......
硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)晶体在八十年代初是作为激光晶体来研究的,随后其优异的压电性能成为人们关注的热点,大......
掺钕钆镓石榴石(Nd:GGG)晶体无论从激光性能(激光阈值,效率)还是物理性能(导热性等)方面均优于掺钕玻璃,Nd:GGG与现在工业上大量使......
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