报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨......

采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,利用XRD,SEM,TEM对所制备的Ga N的结构、形貌进行表征和分析,使用......

报道了一种新颖而有效的二步制备氮化镓粉末的方法.以乙氧基镓Ga（OC2H5）3作前驱体,利用溶胶-凝胶法和高温氨化法相结合,在950℃氨化......

在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌......

以商业氮化镓（GaN）粉末为原料,经简单超声辅助的方法成功制备出氧化镓（Ga2O3）纳米棒。通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）和透射......

氮化镓（GaN）是一种前景甚佳的直接宽带隙半导体材料,具有优良的光、电学性质和优异的机械性质及热的稳定性,是当前世界上最为先进的......