N-GAAS相关论文
n-GaAs是一种典型的半导体材料,广泛地应用于探测器和耿氏效应管等方面,于是n-GaAs的混沌研究对相关器件的制备和应用具有理论指导......
采用超高真空电子束蒸发设备和快速热退火工艺制备GaAs／Pd／AuGe／Ag／An多层结构和测量比接触电阻车所需的传输线模型。研究了比接触电阻......
用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物......
在Al/ZnSe:Mn/n-GaAs系统中观察到了阈值电压低于60V的明亮的DC电致发光(EL)。指出在n-GaAs和ZnSe之间的异质结接触起高效电子注入......
我们对MBE高掺杂的n-GaAs∶Si和p-GaAs∶Be进行了光致发光研究,详细比较了高掺杂n-GaAs和p-GaAs在光谱线型,峰值半宽,峰值位置等方......
利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10~(18)cm~(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10~(1......
日本科派尔公司研制TC-8101型的霍尔元件附有采用核磁共振法校正的技术数据,克服了原有的缺点。元件在指定控制电流下使用时,不必......
本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作......
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A simulation model and the dynamics of the forced modulation-doped heterostructure, which operates in the state far from......
