SIGEC相关论文
Communicant半导体公司已开发出基于0.25μm技术的硅锗碳化物(SiGeC)BiCMOS设计套件。
Communicant Semiconductor has develope......
This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated sy......
建立了超薄基区SiGe和SiGeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge......
提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构．基于异质结电流输运机制，该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输，改善......
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合......
基于异质结理论，提出了一种新型P^＋（SiGeC）-n^--n^＋异质结功率二极管结构。分析了C对SiGe合金的应变补偿作用的物理机理。利用MEDICI模......
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能......
SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能......
采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强......
研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性，分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响，指出由于Ge和C......
研究了Ｓｉ衬底上ＳｉＧｅＣ合金薄膜的生长，以Ｃ２Ｈ４为Ｃ源、采用快眼低压化学气相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）的非平衡生长技术，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有一定代位式Ｃ含量的硅基ＳｉＧｅＣ合金。实......
硅基长波长光电探测器是最有希望与微电子集成的一种用于光通信的光电器件。介绍了当前硅基长波长光电探测器的发展现状和趋势，讨论......
硅基长波长光电探测器是最有希望与微电子集成的一种用于光通信的光电器件。介绍了当前硅基长波长光电探测器的发展现状和趋势，讨论......
据报道，Motorola公司已与德国半导体物理研究所（IHP：InstituteofSedricolldLICtofPhysiC）签订合同，采用硅错碳（SilicongCrmaniumcarbide）......
