利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层，研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层......

利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层，研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)......

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏......