硫系化合物相关论文
传统主存DRAM和外存NAND之间存在巨大的性能和成本差异且面临日益严峻的微缩困境,业界提出了各种新型电阻式存储器来对其进行补充......
本文介绍了硫系化合物随机存储器的原理、研究现状、特点及其在军事与航空航天领域的应用前景.硫系化合物随机存储器具有抗辐射、......
硫系化合物具有灵活多变的结构和丰富的理化性质，为探索具有新颖性能的功能材料提供了广阔的空间。本论文立足于硫系化合物体系，主要......
近几十年来,随着以集成电路为代表的半导体技术的飞速发展,集成电路中所包含的原件越来越多,传统的存储器件的尺寸越来越小,已经接......
与其他类型存储器相比,基于硫系化合物的相变存储器（Phase-changeRandom Access Memory,简称PRAM）,具有不挥发性、循环寿命长(大于10......
硫系化合物的可逆阈值转换效应被发现后，相变存储器的概念被提出。相变存储器是一种电阻型非易失性存储器，在热的激励下硫系化合物可......
目前半导体技术的发展依然遵循摩尔定律，集成度不断提高，但是传统的存储器如Flash存储器的在22nm以下发展遇到很大挑战，等比例缩小的......
基于硫系化合物的相变存储器(Phase-change Random Access Memory,简称PRAM)具有不挥发性、循环寿命长(大于10次)、功耗低、读/写......
本文论述了Si掺杂SbTe相变存储介质及其器件的基础研究。 便携式电子产品的蓬勃发展要求未来的存储器必须具有速度快、存储密度......
面对大数据时代的海量信息挑战，信息存储与处理功能融合的新型信息器件被认为是突破传统冯诺依曼计算机体系架构瓶颈的关键。纳米级......
相存储器(Phase-changeRandomAccessMemory，简称PRAM)是一种不挥发的存储器，它同时具备DRAM的高速存取速度和像闪存那样的不挥发性存......
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元......
用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料，并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、拉曼光谱仪（Raman）、热重分析（DSC）进......
材料、能源、信息一直是支配人类社会发展的三大支柱,因此电子信息材料对人类社会进步的重要性不言而喻。随着电子信息时代的到来,......
从2001年intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2005年samsung在VLSI发表256M的PCRAM的实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚......
本文首先简述硫系化合物纳米线相变存储器的原理、重要应用及优势。其次,分别从纳米线的制备、掺杂、多态存储、相变存储机理等方......
